PN结whl 修改版 微电子学基础课件技术方案.pptVIP

* 第6章 p-n结 §6-1 p-n结及其能带图 §6-2 p-n结电流电压特性 §6-3 p-n结电容 §6-4 p-n结击穿 §6-5 p-n结隧道效应 * §6-1 PN结及其能带图 本节重点： p-n结 能带图 接触电势差 载流子分布 * p-n结形成，空间电荷区 形成：合金法，扩散法，离子注入法等 结的分类：突变结，缓变结，线性缓变结 §6-1 PN结及其能带图 * 空间电荷区，接触电势差 空间电荷区也叫势垒区，也叫耗尽区 内建电场，势垒的高度 正好等于 , 叫接触电势差 §6-1 PN结及其能带图 * 能带图,接触电势差,载流子分布 ?能带图： ?接触电势差：平衡PN结的空间电荷区两端的电势差VD ，也叫内建电势差。一般硅，0.70V; 锗0.32V §6-1 PN结及其能带图 * 例题或习题： 已知平衡p-n结 2区的掺杂浓度，求其接触电势差 分析对接触电势差的影响因素主要有：掺杂浓度，禁带宽度，温度 * §6-2 p-n结电流电压特性 电压主要降在势垒区 电注入 能带图中的符号 准费米能级 理想PN结模型 电流电压特性的推导过程 * 理想p-n结电流电压特性的推导过程 理想p-n结的假设条件 推导的思路 结果：肖克莱方程 对结果的讨论：和假设有关 1.理想方程的特点：单向导电性等 2.理想和实际的差距和原因 §6-2 p-n结电流电压特性 * §6-2 p-n结电流电压特性 * 结果的讨论-伏安特性 1，理想方程： A）单向导电性 B）温度对电流的影响 主要对 中 的影响。温度上升，电流指数上升。 2，理论曲线和实际曲线的差别及其原因：（画图：实际曲线和理论曲线） A) 反向偏置：考虑势垒区的产生流， 增大 B) 正向偏置：曲线变形，见图 1，小电压时：加上势垒区复合流： 变大， 2，中间电压：符合较好 3，高电压时：几乎线性；因为大注入效应和串联电阻 §6-2 p-n结电流电压特性 * 影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素： 势垒区的产生电流 势垒区的复合电流 大注入情况 §6-2 p-n结电流电压特性 * 势垒电容：当p-n结加正向电压时，势垒区电场随着正向偏压的增加而减弱，势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少，如（a）、（b）所示。 扩散电容：当正向偏压增加时，由p区注入到n区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了n区的空穴积累，增加了浓度梯度，如（c）所示。 §6-3 p-n结电容 * 突变结的势垒电容：PN+结为例 线性缓变结的势垒电容 §6-3 p-n结电容 * 电容效应结论 势垒电容： 单边突变结的接触电势差随着低参杂一边的杂质浓度的增加而升高，势垒宽度随着低参杂一边的杂质浓度的增加而下降，势垒区几乎全部降在低参杂的一边。 最大的电场强度在PN中间界上。 势垒电容和结面积以及低参杂浓度的平方根成正比。减小他们可以降低电容。 势垒厚度随电压变化，所以势垒电容也随电压变化，势垒电容是变容电容。 扩散电容 §6-3 p-n结电容 * 雪崩击穿 击穿机理：雪崩倍增效应 和电场强度成正比 厚的势垒区容易发生， 轻掺杂 §6-4 p-n结击穿 * 隧道击穿 齐纳击穿 势垒区宽度小,大反压容易发生 重参杂 热击穿 反向饱和电流随温度上高而升高的正反馈效应 §6-4 p-n结击穿 * 负阻现象—I-V特性 隧道结简单的能带图 应用：隧道二极管 §6-5 p-n结隧道效应 * 隧道结I-V特性及能带图 §6-5 p-n结隧道效应 §6-5 p-n结隧道效应 * * *