电路及电子技术基础第6章(海大).ppt

定量描绘PN结两端电压和流过结的电流的关系的曲线——PN结的伏安特性。 根据理论分析，PN结的伏安特性方程为 外加电压 流过PN结的电流 电子电荷量 q =1.6×10-19C 反向饱和电流 绝对温度(K) 玻耳兹曼常数 k =1.38×10-23J/K 自然对数的底 3、 PN结的伏安特性 令 在常温下，T = 300K， 则 当U大于UT数倍 即正向电流随正向电压的增加以指数规律迅速增大。 外加反向电压时，U为负值，当|U|比UT大几倍时， I≈-IS 即加反向电压时，PN结只流过很小的反向饱和电流。 曲线OD段表示PN结正向偏置时的伏安特性，称为正向特性； 曲线OB段表示PN结反向偏置时的伏安特性，称为反向特性。 U（mV） I（mA） 0 图 PN结的理论伏安特性 D T=25℃ B -IS （V） 0.25 50 75 100 (uA) 0.5 1 1.5 2 画出PN结的理论伏安特性曲线。 加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PN结击穿，发生击穿所需的电压称为击穿电压，如图所示。 反向击穿的特点：反向电压增加很小，反向电流却急剧增加。 UBR U（V） I（mA） 0 图4-6 PN结反向击穿 4、 PN结的电容效应 + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - R U U + + _ _ iR + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - 载流子浓度 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ΔQp ΔQn . . . . . . . . . . . . . . . . . P N U+ΔU ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ - - - - - - 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . （2）扩散电容 1.半导体二极管的结构和类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 三、半导体二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (c)平面型 往往用于集成电路制造中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (3) 平面型二极管 (2)面接触型二极管 (4) 二极管的代表符号 (b)面接触型 阳极 阴极 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 2. 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性的测出。 V mA V D R RW （a）测正向特性 V mA V D R RW （b）测反向特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 (a)二极管理论伏安特性 C D o B A UBR uD iD （b）2CP10-20的伏安特性曲线 iD（mA） uD（V） 0 1 2 -100 -200 20 40 60 80 -20 -10 -30 （uA） 75℃ 20℃ （c）2AP15的伏安特性曲线 iD（mA） uD（V） 0 0.4 -40 -80 20 40 80 -0.2 -0.1 -0.3 60 0.8 ① 正向特性 死区电压：硅管 0.5V 锗管 0.1V 线性区：硅管 0.6V～1V 锗管 0.2V～0.5V 对温度变化敏感： 温度升高→正向特性曲线左移 温度每升高1℃→正向压降 减小约2mV。 (a)二极管理论伏安特性 正向特性 C D o B A UBR uD iD ② 反向特性 反向电流：很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 受温度影响大： 温度每升高10℃→ 反向电流增加约1倍。 ③ 反向击穿特性 反向击穿UBR:几十伏以上。 (a)二极管理论伏安特性 反向击穿特性 C D o B A UBR uD iD 反向特性 3. 二极管的主要参数 4. 二极管的等效电