半导体物理本征载流子浓度技术方案.pptxVIP

;本征载流子浓度ni与温度T;;3.3.2 本征半导体的费米能级位置;;－例子：n型半导体中的载流子浓度（电中性条件和 Ef）;;－例子：n型半导体中的载流子浓度（不同温区的讨论）;－例子：n型半导体中的载流子浓度（不同温区的讨论）;－例子：n型半导体中的载流子浓度（不同温区的讨论）;;－小结;;;电中性条件;;;;;－多种施主、多种受主并存;;;?η;;;3.5.4 简并时杂质的电离;例： 在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05?1019cm-3，NV=3.9?1018cm-3， （1）试求锗的载流子有效质量m*n，m*p。 （2）计算77K时的NC 和NV。 已知300K时，Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。 （3） 77K时，锗的电子浓度为1017cm-3 ，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？;例： 计算含有施主杂质浓度为ND=9?1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1?1016cm3，的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 ; 例： 掺有浓度为每立方米为1.5?1023砷原子 和立方米5?1022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。 ;