半导体表面与MIS结构修改版c 微电子学基础课件技术方案.pptVIP

前言， * 第8章 半导体表面与MIS结构 主要内容: §8.1 表面态 §8.2 表面电场效应 *§8.3 MIS结构的C-V特性 * §8.4 硅-二氧化硅系统的性质 * §8.5 表面电导率及迁移率 * §8.6 表面电场对pn结特性的影响 * §8.1 表面态 1.理想表面： 先就理想情形，即晶体表面不附着任何其他分子或氧化膜的情形进行讨论。 * §8.1 表面态 1.理想表面 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。（实际不存在） * §8.2 表面电场效应 8.2.1 空间电荷层及表面势 8.2.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 * §8.2 表面电场效应 讨论在外加电场作用下半导体表面层内发生的现象。 * §8.2 表面电场效应 2，表面空间电荷层的电场 电势和电容 5种状态 多数载流子堆积状态： 表面多子堆积 平带状态 Vs=0 耗尽状态 反型状态 弱反型: 2VB = Vs VB 强反型 : Vs = 2VB //特征和能带图// 深耗尽状态 * §8.2 表面电场效应 * §8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.1，理想MIS结构的C-V特性 8.3.2，金属与半导体功函数差对MIS结构C-V 特性的影响 8.3.3，绝缘层中电荷对MIS结构C-V