概念半导体物理技术方案.pptxVIP

1.根据能带理论简述导体、绝缘体和半导体的导电?;;二、;点的X状态和A点的状态完全相同，也就是由布里渊区一边运动出去的电子在另一边同时补充进来，因此电子的运动并不改变布里渊区内电子分布情况和能量状态，所以满带电子即使存在电场也不导电。;空穴具有以下的特点： (1)带有与电子电荷量相等但符号相反的+q电荷； (2) 空穴的有效质量是一个正常数mp* ，它与价带顶附近空态的电子有效质量mn*大小相等，符号相反， 即mp*＝－mn* (3)空穴的浓度就是价带顶附近空态的浓度； (4)空穴的共有化运动速度就是价带顶附近空态中电子的共有化运动速度；;1.直接能隙晶体;2.间接能隙晶体;;硅的能带结构;－不同的晶体或半导体材料，其能带结构不同，即便对于同一种 半导体，沿不同k方向的E(k)~k关系也不相同，往往是各项异性;1 一般情况下的等能面方程;上式是一个椭球方程，各分母等于椭球的各个半轴长的平方，这种情况下的等能面是环绕极值点k0的一系列的椭球面。;当E-k关系是各项同性时，等能面是球形的，结合 可知其电子有效质量是各向同性的 ;;;;;－一个磁场方向应该只对应一个吸收峰;;硅的导带结构 N型硅中有效质量的测量 B沿[111]方向,只能测到一个吸收峰;;回旋共振实验表明： Si的导带底附近等能面是由长轴沿100方向的6个旋转椭球等能面构成，旋转椭球的中心位于100方向上简约布里渊区中心至边界的0.85倍处。 Ge的导带底附近的等能面由长轴沿111方向的8个旋转椭球等能面构成，导带极小值对应的波矢位于111方向简约布里渊区的边界上，这样在简约布里渊区内有4个完整的椭球。;Si和Ge的简约布里渊区和k空间导带底附近等能面示意图; Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的。由于能带简并，Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的(mp)h称为重空穴，有效质量较小的(mp)l称为轻空穴。另外由于自旋-轨道耦合作用，还给出了第三种空穴有效质量(mp)3，这个能带偏离了价带顶，空穴不常出现。对Si和Ge性质起作用的主要是重空穴和轻空穴。;GaAs价带由一个极大值稍许偏离布里渊区中心的重空穴??V1、一个极大值位于布里渊区中心的轻空穴带V2和一个自旋—轨道耦合分裂出来的第三个能带构成。第三个能带的极大值与重空穴带和轻空穴带的极大值相差0.34eV。;Si、Ge和GaAs的能带结构;;能隙还和成分有关