电导2 无机材料物理性能 知识介绍.pptVIP

（1） 根据传导离子种类： 阳离子导体：银离子、铜离子、钠离子、锂离子、氢离子等； 阴离子导体：氟离子、氧离子。 （2） 按材料的结构：根据晶体中传导离子通道的分布有一维、二维、三维。 （3） 从材料的应用领域：储能类、传感器类。 （4） 按使用温度：高温固体电解质、低温固体电解质;类型;快离子相的概念 固体从非传导态进入传导态有三种情况： （1）正常熔化态。 （2）非传导态经过一级相变进入导电态。相变前后均保持固态特性，仅结构发生变化。称这一特殊导电相为快离子相。其结构从有序向无序转变或亚晶格熔融。如：银离子、铜离子导体。 （3）法拉第转变态， 没有确切的相变温度， 是一个温度范围， 在此温度范围电导率 缓慢上升。例如Na2S.;以Ag+为例， （2）的物理图象为： 低温时，晶格由阴阳离子共同组成； 当温度升上到相变温度时，所构成的阳离子亚晶格发生熔化； 阴离子亚晶格由于阳离子亚晶格的无序而重新排列构成新相的骨架； 阳离子在这些骨架的间隙上随机分布，可动阳离子在这一新相中的间隙位置间很容易运动。; 决定快离子导体中离子导电性的主要因素有：传导离子的特点、骨架晶格的几何结构，能量 。;六方密堆积的晶格导电通道;本征导电------晶格点阵上的离子定向运动（热缺陷的运动）。 弗仑克尔缺陷为填隙离子---空位对。 肖特基缺陷为阳离子空位---阴离子空位对。 杂质导电------杂质离子的定向运动。 填隙杂质或置换杂质（溶质）。;热缺陷的运动产生和复合;涉及到的概念： P------单位时间内一个正常格点位置上的原子跳到间隙位置的次数,形成填隙原子的几率。 ?=1/P------正常格点位置的原子形成为填隙原子所需等待的时间； P1 ------一个空位在单位时间内从一个格点位置跳到相邻格点位置的几率； ?1= 1/P1------空位从一个格点位置跳到相邻的格点位置所需等待的时间。或相邻格点上的原子，跳入空位所需的时间；;P2 ------一个填隙原子在单位时间内从一个间隙位置跳到相邻间隙位置的几率； ?2= 1/P2------填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置需??待的时间。;;E2;? 根据波尔兹曼统计在温度T时，粒子具有能量为E2的几率和exp(－E2/kBT)呈正比例； ? 间隙原子在间隙处的热振动具有一定的频率?02，即单位时间内填隙原子试图越过势垒的次数为?02 ； ? 单位时间内填隙原子越过势垒的次数为： P2 = ?02 exp(－E2/kBT) ? 1/ P2是填隙原子每跨一步（到相邻间隙位置）所必须等待的时间 ： ?2 = （1/?02 ）exp(E2/kBT) ? 单位时间沿某一方向跃迁的次数为： P2 = ?02 /6exp(－E2/kBT);C 在外电场存在时，间隙离子的势垒变化;设 ?U=F·a/2 顺电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为： P2顺= ?02 /6exp[－(E2 － ?U) /kBT] 逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为： P2逆= ?02 /6exp[－(E2 + ?U) /kBT] 单位时间内每一间隙离子沿电场方向的净跃迁次数为： ?P= P2顺－ P2逆 =?02/6exp(－E2/kBT)[exp( ?U/kBT)+exp(－?U/ kBT)];每跃迁一次间隙离子移动距离a， 间隙离子沿电场放心的迁移速度为： v= ?P·a =a?02 /6exp(－E2/kBT)[exp( ?U/ kBT)+exp(－?U/ kBT)];当电场强度不太大时， exp( ?U/ kBT)?1+ ?U/ kBT exp(－?U/ kBT)?1－ ?U/ kBT v=( a?02 /6)×(qa/ kBT) ×E× exp(－E2/ kBT) 载流子沿电场力的方向的迁移率为： ?=v/E=(a2?02q /6kBT) × exp(－E2/ kBT) 一般离子的迁移率为10-13～10-16 m2/sV, kB= 0.86×10-4(eV/K) 例：晶格常数a=5×10-8 cm，振动频率1012Hz， 势垒0.5eV， 常温300K，?=6.19×10-11(cm2/sV);电导率?=nq?