多层半导体材料中光学声子的辅助共振隧穿1.pdfVIP

多层半导体材料中光学声子的辅助共振隧穿 摘要 本文在连续介电模型下，利用转移矩阵法细致探讨了三元混晶多层半导体材 料中各种光学声子的色散关系及其与电子相互作用的哈密顿量．进而，用Fermi 黄金法计算了声子的发射概率，探讨了光学声子对共振隧穿的辅助作用． 色散关系及其与电子的耦合作用．分别在该结构的垒或阱为三元混晶材料时，计 料，混晶效应不明显，且只有一个PAT峰，该结论与实验符合较好；若阱为混 结果显示：PAT峰和共振峰值均随压力增加而减小，但PAT效应随压力增加． 隧穿的辅助作用．结果表明，在不同声子对隧穿的影响中，IO声子起主要作用． 当中间垒层铝组分足够大或厚度足够宽时，由于起主要作用的IO声子以及局域 纵光学声子的能量相近仅可观测到一个PAT峰．随着中间垒层铝组分的减少或 中间垒层较薄且铝组分较小时，PAT电流中能显示出更多的声子信息． 及其与电子的相互作用．还给出各种光学声子对PAT电流的影响．结果表明，IO 声子在PAT过程中起着主要作用． 上述结果丰富了相关理论且对实验和器件研制有指导意义． 关键词：声子辅助共振隧穿；半导体多层材料；电一声子相互作用；三元混晶； 应变