半导体二极管简介.ppt

乐山无限电股份有限公司 Leshan Radio Co., Ltd Page * 半导体二极管简介 乐山无线电股份有限公司 Leshan Radio Co., Ltd 索引： 第一章： 半导体介绍 第一节：半导体的物理特性 第二节：半导体的材料 第三节：本征半导体与自由电子及空穴 第四节：添加掺杂物质的半导体与电子及空穴 第五节：PN接合和势垒 第六节：空乏层与势垒 第七节：PN结面的电压和电流特性 第八节：掺杂物质的选择性扩散 第二章： 芯片介绍 第一节：Si晶圆的制作 第二节：Si扩散类芯片制作 第三节：肖特基异质结类芯片制作 第三章： 封装流程介绍 第一节：OJ类产品介绍 第二节：GPP/SKY类产品介绍 第三节：整流桥类产品介绍 第四节：玻壳封装类产品介绍 第四章：二极管的种类及参数介绍 第一节：整流器件参数介绍 第二节：齐纳（稳压）器件参数介绍 第三节：保护器件（TVS）参数介绍 第一节：半导体的物理特性 【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。 如： 杂质的添加、温度、光的照射、原子结合的缺陷 第一章：半导体介绍 第一章：半导体介绍 第二节：半导体的材料 硅(Si)与锗(Ge)为众所周知的半导体材料.这些无素属于元素周期素中的第IV族,其最外壳(最外层的轨道)具有四个电子.半导体除以硅与锗的单一元素构成之处,也广泛使用两种以上之元素的化合物半导体. 硅、锗半导体  单结晶的硅、其各个原子与所邻接的原子共价电子（共有结合、共有化）且排列得井井有条。利用如此的单结晶，就可产生微观性的量子力学效果，而构成半导体器件。化合物半导体  除硅（Si)之外，第III族与第V族的元素化合物，或者与第IV族元素组成的化合物也可用于半导体材料。例如，GaAs（砷化镓）、 Gap（磷化砷）、 AlGaAs（砷化镓铝）、??GaN（氮化镓） SiC（碳化硅） SiGe（锗化硅）等均是由2个以上元素所构成的半导体。  第一章：半导体介绍 第三节：本征半导体与自由电子及空穴 第IV族（最外层轨道有四个电子）的元素（Si、Ge等），以及和第IV族等价的化合物（GaAs、GaN等），且掺杂极少杂质的半导体的结晶，称之为本征半导体（intrinsic semiconductor） 本征半导体（intrinsic semiconductor）  当温度十分低的时候，在其原子的最外侧的轨道上的电子（束缚电子（bound electrons）用于结合所邻接的原子，因此在本征半导体内几乎没有自由载子，所以本征半导体具有高电阻比。 第一章：半导体介绍 第三节：本征半导体与自由电子及空穴 自由电子（free electrons）  束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。空穴（hole）  在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的Si原子移动过来，同时在邻接的Si原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si原子移动过来。在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动，刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。 第一章：半导体介绍 第四节：添加掺杂物质的半导体与电子及空穴 将第V族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会形成1个自由电子且成为N型半导体。 将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会产生缺少一个电子的地方且成为P型半导体。N型半导体（N type Semiconductor）? ?N型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子，称为“施体（donor）“。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载子）。  作为N型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑 P型半导体（P type Semiconductor） 在P型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受体（acceptor）”。受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。 作为P型掺杂物质使用的元素有：B 硼；in 锌 第一章：半导体介绍 第五节：PN接合和势垒 在接合前，由于P型半导体存在与受体（负