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多重分裂 MnF2的Mn3s电子的XPS谱 * 能量损失峰 对于某些材料，光电子在离开样品表面的过程中，可能与表面的其它电子相互作用而损失一定的能量，而在XPS低动能侧出现一些伴峰，即能量损失峰。 当光电子能量在100～1500 eV时，非弹性散射的主要方式是激发固体中自由电子的集体振荡，产生等离子激元。 * 能量损失峰 * 震激和震离线 在光发射中，因内层形成空位，原子中心电位发生突然变化将引起外壳电子跃迁，这时有两种可能：(a)若外层电子跃迁到更高能级，则称为电子的震激(shake-up)；(b)若外层电子跃过到非束缚的连续区而成为自由电子，则称为电子的震离(shake-off)。无论是震激还是震离均消耗能量，使最初的光电子动能下降。 * 震激和震离线 * X射线“鬼峰” 有时，由于X射源的阳极可能不纯或被污染，则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。 Contaminating Radiation Anode Materials Mg Al O (K?) Cu (L?) Mg (K?) Al (K?) 728.7 323.9 - -233.0 961.7 556.9 233.0 - * 4.2.4 XPS谱图能量校正 X射线光电子能谱分析的首要任务是谱仪的能量校准。一台工作正常的X射线光电子谱仪应是经过能量校准的。 X射线光电子谱仪的能量校准工作是经常性的，一般地说，每工作几个月或半年，就要重新校准一次。 * 能量零点 对于导电的固体样品，其结合能的能量零点是其Fermi能级。 在实际的工作中，是选择在Fermi能级附近有很高状态密度的纯金属作为标样。 在高分辨率状态下，采集XPS谱，则在EBF=0处将出现一个急剧向上弯曲的谱峰拐点，这便是谱仪的坐标零点。 * 能量坐标标定 有了仪器的能量零点后，需要选用一些易于纯化的金属，对谱仪的能量坐标进行标定。 一般是选择相距比较远的两条谱线进行标定，所选谱线的能量位置是经过精确测定的。 在两点定标方法中应注意选择适合于谱仪线性响应的标准谱线能量范围，同时必须对Fermi能量零点作出严格的校正。 * 荷电效应 用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。 荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。 * 荷电效应 荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。 荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。 实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。 * 荷电效应-中和法 制备超薄样品； 测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使Ec0.1eV， 这种方法一方面需要在设备上配置电子中和枪，另一方面荷电效应的消除要靠使用者的经验。 * 荷电效应 -内标法 在处理荷电效应的过程中，人们经常采用内标法。即在实验条件下，根据试样表面吸附或沉积元素谱线的结合能，测出表面荷电电势，然后确定其它元素的结合能。 有人提出向样品注入Ar作内标物有良好的效果。Ar具有极好的化学稳定性，适合于溅射后和深度剖面分析，且操作简便易行。 选用Ar2p3/2谱线对荷电能量位移进行校正的效果良好。这时，标准Ar2p3/2谱线的结合能?0.2 eV。 * 5.2.5 XPS谱图定性和定量分析 定性分析 同AES定性分析一样，XPS分析也是利用已出版的XPS手册。 * 定性分析步骤 定性分析就是根据XPS谱图，依据前面所学习到的特征谱线达到定性分析的目的。 先扣除荷电 标识那些总是出现的谱线 对照结合能数值标识谱图，标识较强电子谱线 标识余下较弱的谱线 核实没有归属的谱线 注意干扰 * 定量分析 元素灵敏度因子法 同AES中的灵敏度因子法相似。区别在于AES定量分析中一般以谱线相对高度计算，同时对背散射因子等作出校正； XPS中一般以谱峰面积计算，不计入背散射效应。 XPS分析中，定量分析的方法与AES的定量方法基本相似，如标样法，校正曲线法等，大同小异。 * 5.3 X射线光电子能谱的应用 XPS 是用X射线光子激发原子的内层电子发生电离，产生光电子，这些内层能级的结合能对特定的元素具有特定的值，因此通过测定电子的结合能和谱峰强度，可鉴定除H和He（因为它们没有内层能级）之外的全部元素以及元素的定量分析。 电子能谱目前主要应用于催化、金属腐蚀、粘合、电极过程和半导体材料与器件等这样一些极有应用价值的领域，探索固体表面的组成、形貌、结构、化学状态、电子结构和表面键合等信息。随着时间的推移，电子能谱的应用范围和程度将会越来越广泛，越来越深入。 * 5.3.1 表面组成的分析 Ag-Pd合金退火前后的AE