低功率CMOS无线射频芯片设计要点.pdfVIP

低功率CMOS 无线射频芯片设计要点 笙科电子 研发处长 张德智 / 行销经理 萧昭仁 无线通讯市场的趋势一直朝向低成本、低消耗功率、小体积等目标。短距离装 置产品(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(见图一) 概念的推波助 澜下，带动了射频芯片(RF IC)的需求量大增，射频收发器 (TRX)要达到低功耗 设计，低电压工作是必要条件，然而，电路的效能与工作电压有关，在兼顾到效能 与低功耗之间，是一个很大的挑战。近年来，RF IC 之制作技术日新月异。高 速、低功率组件更是众所瞩目之焦点，目前0.13um RF CMOS 工艺的晶体管，fT 值可达到60 GHz，这表示CMOS 晶体管有足够的能力来处理高频讯号， 所以产业 界的主流几乎以RF CMOS 技术，致力于低功率 RF IC 的优化与研究。 图一 Dust Senso