半导体简化直接变频设计.pdfVIP

(E /N )和其他噪声贡献余量。3G LTE标准要求至少60dB的总 b o 半导体简化直接变频设计 镜像抑制性能。此外，在指定解调器本振(LO)相位噪声时，还 必须考虑到宽带接收机中相互混频这一重要现象。LO相位噪 声会对附近的未滤波阻塞进行调制，向所需通道中增加 随着半导体工艺的不断进步，集成电路得以具备无线基础设施直接变 频接收机所需的性能，能够满足多模式通信系统的需求。 Pblocker_dBm - LO_Noise dBc/Hz噪声。 直接变频信号链（图1）可以为3G和4G 系统提供低成本的接 作者：Cecile Masse 收机解决方案。其架构没有其他接收机复杂，并且无需实中频 直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G) 采样架构中使用的多个表面声波(SAW)和分立滤波器。基带通 无线网络中的多模式和多标准要求，随之要求能够处理全球 道滤波器通常采用分立低通设计，可在数字化处理之前提供带 400 MHz 至4 GHz 范围内的信号，因而基础设施和移动设备开 外阻塞和宽带噪声抑制。与超外差或实中频采样架构所用的IF 发商寻求系统器件达到新的性能水平。幸运的是，随着硅锗 滤波器相比，该设计的插入损耗和成本要低得多。借助I/Q解 (SiGe)和CMOS 半导体工艺的不断改进，集成度得以提高，同 调器，基带截止频率只需为复合调制信号（以0 Hz为中心）总 时功耗有所下降。利用直接变频架构，无线电设计人员还能够 信号带宽的一半。 实现较宽的设计频率范围，并可在单个硬件平台上调整带宽。 与无线基站的传统 IF 采样接收机方法相比，该架构具有许多 优点，并结合平衡防阻塞的 RF 解调器和模数转换器(ADC)技 术的优势，利用自适应性校正技术来处理残余信号损坏。 3G 长期演进(LTE)无线通信标准支持1.4 至20 MHz 范围内的 各种通道带宽。无论设备支持仅LTE 载波，还是3G (WCDMA) 或 LTE (OFDM)混合载波，通常要求采用的最低带宽是 20 MHz 。由于带宽范围很宽，因此可以接收多个相邻或非相邻载 波。例如，20MHz 带宽内可容纳多达四个相邻WCDMA 信号。 对于宽带接收机设计，所面临的挑战是如何在存在高干扰信号 的情况下解调低电平、高数据速率信号。根据定义，多载波 图1. RF 接收机不具备模拟通道选择性，而无用阻塞信号未经衰减 就会抵达ADC ，这就要求接收机构建模块（尤其是ADC ）具 例如，假定接收机天线处的多载波RF输入信号是以载波频率F0 为中心的非对称双边带信号。当LO = F 时，正交解调器会将 有高动态范围。例如，3G LTE 阻塞要求则需要比所需信号高 0 60 dB 的窄带阻塞。因此，多载波接收机应当具有高输入1dB 实RF信号转换为复数基带信号，以差与和频率LO+/- F0或0 Hz 压缩点、高分辨率 ADC 和某种形式的自动增益控制(AGC) ， 和 2F0 的形式产生实部和虚部。在进行模数转换之前，低通滤 将阻塞信号电平维持在ADC 的满量程(FS)电平以下。 波器会消除和项、信号谐波和噪声。如果总信号带宽为Bx ，那 么滤波器的截止频率应设置为Fc Bx/2 。 而且必须在可接受的接收机灵敏度下，实现这种对阻塞信号的 抗扰度。设计用于支持3G LTE 标准的基站接收机必须具备优 直接变频方法的另一主要优势是ADC采样速