PN结特性和用途的初步探讨.doc

　　　　　 PN结特性和用途的初步探讨 江苏扬中职教中心机电组　张勇 　　　题要：PN结在电子工业中应用极其广泛，几乎所有的电路中都能找到它的身影，PN结原理是电子学重要的理论基础之一。本文着重从PN结内部结构入手，深入浅出的分析自由电子和空穴的两种运动：扩散和漂移，介绍了什么是本征半导体、P型半导体和N型半导体,分析了PN结内部空间电荷区、内电场的形成。当加正向偏压时，载流子如何运动，加反向偏压时如何运动，从而说明PN结具有单向导电性，同时还介绍了其它一些性质，如随温度变化的负阻性，随控制电压变化的变容性，受击穿电压限制的稳压性等。随后，由这些性质简介了PN结的几种主要应用，由单向导电性可进行检波、整流，由变容性可用来调谐、自动频率控制，由PN结的注入式电致发光原理介绍了发光二极管LED的应用等。本文是PN结原理和应用的基础篇。 我们知道PN结具有单向导电性，加一定的正向电压时导通，加一定的反向电压时截止，那么对于PN结内部载流子的运动，究竟是如何的？PN结有什么特性？它有哪些用途呢？　　　　　 现在，以一块纯净的单晶体硅作为研究对象，内部结构如图1（立体图）和如图2（平面图），每个硅原子周围有四个硅原子，并且每个硅原子周围有4个电子，都与邻近的原子形成共价键，构成稳定的正四面体空间点阵结构，这种结构内部几乎没有可自由移动的电子，这种半导体称为本征半导体，而处于共价键上的某些电子在接受外界能量后可以脱离共价键的束缚成为自由电子，而该电子原来位置上就会出现一个空位，这个空位称为正离子，故在分析时认为空穴是一个带正电的粒子，若自由电子进入空穴，恢复原来的结构称为复合。在本征半导体内，自由电子和空穴是成对出现的，自由电子带负电，空穴带正电 自由电子和空穴都是载运电荷的粒子，称为载流子，自由电子和空穴在电场力的作用下会产生定向运动，载流子在电场力作用下的定向运动可称为漂移运动，本征半导体内的电流就是由这样的两种载流子的漂移运动形成的。温度升高时载流子的漂移运动明显增强。 在纯净的单晶硅中掺入微量的磷原子（或锑原子），让磷原子取代一定量的硅原子，仍然是正四面体结构。如图3,磷原子最外层有5个电子，相对于硅原子多了一个电子，这个电子很活泼，形成自由电子，掺入的磷原子越多，则能自由移动的电子也越多，导电能力大大增强，这样的半导体称为电子型半导体，又称N型半导体，具有一定的导电性，N型半导体中自由电子数目大于空穴的数目，所以N型半导体中，自由电子称为多数载流子，简称多子。空穴称为少数载流子，简称少子。 在纯净的单晶硅中掺入微量的硼原子（或铟原子），让硼原子取代一定量的硅原子（如图4），由于硼原子的最外层只有3个电子，组成正四面体结构时少了一只电子，这样的结构不太稳定，周围较活泼的电子很容易来补充，这样形成空穴，显然空穴处显示出了正电荷，而一旦形成了空穴，周围较活泼的电子又来补充，形成新的空穴，这样我们认为空 穴可自由移动，当掺入的硼原子数增多时，可自由移动的空穴也增多， 这样的半导体称为空穴型半导体，又称为P型半导体。在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。在记忆时我们可用谐音，“P空”→“屁功”。虽然难听,但很有用，即P型半导体为空穴半导体。 　　现在，我们采用特殊的工艺，在单晶硅片左边掺入磷原子， 右边掺入硼原子如图5，左边为P型半导体为P区，右边为N型 半导体为N区，P区有大量可移动的空穴，显然会向N区扩散， 而N区有大量可移动的自由电子会向P区扩散，扩散的结果使 P区带负电，N区带正电，出现了电荷的重新分布，一旦出现了正负电荷的分布就形成了电场，这电场为内电场，方向向左，对电子的作用力向右，将阻碍自由电子向P区进一步扩散，对空穴的作用力向左，阻碍空穴向N区进一步扩散，扩散的载流子越多，建立的内电场越强，对载流子扩散的阻碍也越大，而在内电场的作用下，漂移运动也增强，自由电子向N区的漂移及空穴向P区的漂移增强，当多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动达到一种动态平衡，即在单位时间内扩散的载流子数目和漂移的载流子数目相等时，内电场不再增强，（此时用一根导线将P区和N区连接起来是不会有电荷的流动的），在P区和N区的交界处形成了正负电荷的一种分布，我们把具有这种电荷分布的区称为空间电荷区，也称耗尽层、阻挡层或势垒层。具有这种空间电荷区分布的半导体称为PN结。这个过程中，N区中的自由电子扩散到P区，填充了P区的空穴。同样P区中的空穴扩散到N区中填充了自由电子，则空间电荷区中的载流子极少，相当于本征半导体，而P区总体带负电，N区总体带正电，电荷集中在空间电荷区，效果像一个电容器一样容纳了电荷，人们把这种现象称为是PN结电容。 在PN结的P区加上正电压，N区加负电压