光电检测器件知识讲稿.ppt

第三章 光电检测器件;光电器件的类型与特点 光电器件的基本特性参数 半导体光电器件 光电导器件—光敏电阻 光伏器件 光电池 光电二极管/三极管 真空光电器件 光电管 光电倍增管 热电检测器件 热敏电阻 热电偶和热电堆 热释电探测器件;3.1 光电器件的类型与特点;光电检测器件的类型;光电检测器件;一、响应特性;;２．光谱响应度：探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比． ３．积分响应度：检测器对各种波长光连续辐射量的反应程度．;４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。 下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。;光电探测器响应率与入射调制频率的关系 为调制频率为f 时的响应率 为调制频率为零时的响应率 　?　为时间常数（等于RC） ;：上限截止频率 时间常数决定了光电探测器频率响应的带宽;二、噪声特性;噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。 由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信号特别是微弱信号的正确探测。 一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。 所以在精密测量、通信、自动控制等领域，减小和消除噪声是十分重要的问题。 ;光电探测器常见的噪声;1、热噪声;2、散粒噪声;3、产生-复合噪声;4、1/f噪声;５、信噪比;６、噪声等效功率(NEP);噪声等效功率是一个可测量的量。 设入射辐射的功率为P，测得的输出电压为U0 然后除去辐射源，测得探测器的噪声电压为UN 则按比例计算，要使U0＝UN，的辐射功率为 ;７、探测率与归一化探测率;三、量子效率?（?）;量子效率与响应度的关系;四、线性度;五、工作温度;3.3 半导体光电器件;一、光敏电阻;光敏电阻 (LDR) 和它的符号：;1. 光敏电阻的工作原理;入射光;本征型和杂质型光敏电阻;光电导与光电流;光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大，这样光敏电阻的灵敏度就高。 光电流与光照强度／电阻结构的关系。 ;无光照，暗电导率 光照下电导率 ;附加光电导率,简称光电导 光电导相对值 要制成附加光电导相对值高的光敏电阻应使p0和n0小，因此光敏电阻一般采用禁带宽度大的材料或在低温下使用。;当光照稳定时，光生载流子的浓度为 无光照时，光敏电阻的暗电流为 光照时，光敏电阻的光电流为 ;２．光敏电阻的工作特性;光电特性：光电流与入射光照度的关系： (1)弱光时，γ=1，光电流与照度成线性关系 (2)强光时， γ=0.5，光电流与照度成抛物线 光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈饱和趋势。（冷却可以改善） ;在弱光照下，光电流与E具有良好的线性关系 在强光照下则为非线性关系 其他光敏电阻也有类似的性质。;光电导灵敏度: 光电导g与照度E之比. ;光电导增益 光电导增益反比于电极间距的平方。 量子效率：光电流与入射光子流之比。 ;伏安特性;受耗散功率的限制，在使用时，光敏电阻两端的电压不能 超过最高工作电压， 图中虚线为允许功耗曲线 由此可确定光敏电阻正常工作电压。;光敏电阻时间常数比较大，其上限截止频率低。只有PbS光敏电阻的频率特性稍好些，可工作到几千赫。;光敏电阻的时间响应特性较差 材料受光照到稳定状态，光生载流子浓度的变化规律： 停止光照，光生载流子浓度的变化为 ;光敏电阻是多数载流子导电，温度特性复杂。随着温度的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的变化也会影响光谱特性曲线。 例如：硫化铅光敏电阻，随着温度的升高光谱响应的峰值将向短波方向移动。 尤其是红外探测器要采取制冷措施;光敏电阻参数;光敏电阻的应用;光电池;光电池的结构特点;;光电池等效电路;光电池的特性;光电池伏安特性曲线;反向电流随光照度的增加而上升;2、时间和频率响应 硅光电池频率特性好 硒光电池频率特性差 硅光电池是目前使用最广泛的光电池 ;;开路电压下降大约2?3mV/度 短路电流上升大约10-5?10-3mA/度;4、光谱响应度;5、光电池的光照特性;光照特性--- 开路电压输出：非线性(电压---光强)，灵敏度高 短路电流输出：线性好(电流---光强) ，灵敏度低 开关测量（开路电压输出），线性检测（短路电流输出） ;负载RL的增大线性范围也越来越小。 因此，在要求输出电流与光照度成线性关系时，负载电阻在条件许可的情况下越小越好，并限制在适当的光照范围内使用。;光电池的应用;