未来存储器的发展方向.docVIP

未来 存储器 的发展方向 :转载时请以超链接形式标明文章原始出处和作者信息及 卷首-- 本文为译文,原文地址(译者MixCore,首发博客大巴,转载请注明出处 本文预言了未来存储器中,最有希望成为主流产品的几种技术.译者认为文章的有效期涵盖从2011年起,到2015年11nm以下工艺诞生的未来5年. 如果你有幸在2015年后看到本文,应该更能感受到一场群雄逐鹿的科技战下,只有聊聊数人能加冕到最后胜利的王冠,但他们也不过是下个时代浪潮的小部分势力而已.(注1,若想悉心了解本文,请认真阅读注解部分)(注2,译文为自行翻译,脚注为译者从相关资料翻译而来,科技词汇难免有与前人翻译不同之处,请以英文为准.但凡可能产生歧义之处均标有英文原文) 正文-- 随着技术的更新的,半导体行业的材料,制造设备,工艺,技巧都在不断的进化,未来的移动存储器技术正如摩尔定律预言般,向着更快,更省电的方向发展着. 虽然现在的存储器技术得益于过去几十年不断的研究和调测,但这一代的技术革新将会是颠覆性的.在周一(23/05/2011)加州蒙特瑞市举办的IEEE全球存储器研讨会上,由供应商,客户,和专家组成的小组深入研究了未来的存储器市场将走向怎样的方向: 下一代将是.? LaithAltimime(微电子研究中心(Imec)CMOS工艺项目总管)说,在接下来的十年中,存储器设计专家将会使用新的材料(比如碳纳米管[1]);新的技术(包括EUV光刻[2],空气间隙绝缘技术[下图,点击即大图],穿硅互联[3]三维堆叠技术和新的结构(包括混合通道型场效应管(TFET[5]),VFET[6]和TANOS[7]内存单元). 最关键是新材料和新架构,Altimime这样说,他还强调说:3维堆叠技术将会接管同路上的一切.比如电阻式RAM[8(RRAM,非挥发存储器,基于单元电阻丝上的电流进行记忆),1T-RAM[9(一种更高密度的RAM)和自旋传输矩RAM[10(靠它环绕运行着的旋转极化电流去改变单元内细磁层上的磁力而运作). Altimime还强调说:16nm以下的工艺必须要使用3D存储结构,但基本材料还是CMOS,只是还会包括高k绝缘体/金属[11],和新的堆栈设计. NAND闪存的改进 海力士(Hynix)公司存储研发方向的Sung-KyePark说,未来NAND将需要大量改进去,去减少电荷流失并增强电场保持力.这些改进包含很多内容,比如空气间隙技术和增加控制栅的掺杂技术.他预计这些新的结构和材料将会在两年内冲击市场.3D闪存是一种可能,Park强调,他意指这几种技术[下图,点击即大图]东芝(Toshiba)的管型比特成本可量技术[12,三星(Samsung)的兆级晶体管单元阵列技术(TCAT)[13,和海力士(Hynix)的3维浮动栅(3D-FG)和混合芯片技术[14].但Park同时还指出了许多潜在的障碍,比如集成的过程,特别是复合堆叠沉积[15]和字线的形成[22]的问题. DRAM的转变 三星战略策划经理JooYoungLee说,DRAM的设计目标仍然是每年消减35%的成本,但目前想要达到这个目标需要先等待下一代工艺的到来.DRAM正在逼近30nm工艺,他说.他希望这一进程将在2015年达到25nm,在2020年达到14nm(14nm技术需要极紫外光刻(EUV)的支持),同时在2013达到主流产品均使用第四代双数据速率(DDR4). 为了达到这些目的,我们需要大幅改变DRAM的基础--包括单元电容,存储阵列和接触节点的结构,所有的这些都将被从新设计. 图案问题 来自东芝的专家YoshitakaTsunashima说,东芝即将完成NAND闪存制造中的双重成像[16]技术.因为在14nm工艺中,双重图样和极紫外光刻(EUV)技术一样重要. 理所当然,极紫外光刻(EUV)也有待改进之处--激光的性能,掩膜缺陷的控制,最佳性能,掩膜数据的准备,阻抗表现等等.但他表示,有隶属于EUV基础结构发展工程中心(EIDEC)的11家公司正在试图解决这些问题. 另一个方法是用3DNAND来解决这个问题,他说,还有很多别的方法(基于光刻和堆叠)可以减少存储器每比特的成本.这些技术也可以被通用于RRAM,有机存储器[17]和MEMS存储器[18]上. 客户观点 Nokia的MattiFloman说,理想的解决办法是使用通用存储器[19].但这是短期内难以实现的.从Nokia的角度出发,他们希望未来:DRAM以及其他挥发性存储器有更高带宽,全新封装方案,更低电源消耗,耐高温,有前瞻视野的可升级模块,和标准解决方案. 他提出,在高端产品中,宽I/O[20]被视为很好的方案去代替DDR2和DDR3.与此同时,大量的存储器正转向NAND闪存和嵌入式多媒体卡(eMMC)[21]的方向发展. 注释