微电子器件 可靠性 失效分析技术 知识 设备04-3 04-4.ppt

第四章 失效分析;本章主要讨论： 失效分析概论 失效分析的目的意义、基本内容、要求、失效模式及分布、失效机理及定义 失效分析程序 失效环境调查、失效样品保护、失效分析方案设计、外观检查、电测、应力试验分析、故障模拟分析、内部分析、纠正措施、结果验证 失效分析技术 以失效分析为目的的电测技术、无损失效分析技术、样品制备技术、显微形貌像技术、以测量电压效应为基础的失效分析定位技术、以测量电流效应为基础的失效分析定位技术、电子元器件化学成分分析技术、失效分析技术列表 失效分析主要仪器设备与工具 光学显微镜、x射线透视仪、扫描声学显微镜、塑封器件喷射腐蚀开封机、等离子腐蚀机、反应离子腐蚀机、聚集离子束系统、扫描电子显微镜及x射线能谱仪、俄歇电子能谱仪、二次离子质谱仪、透射式电子显微镜、电子束测试系统、显微红外热像仪、光辐射显微镜、内部气氛分析仪、红外显微镜;回顾 基本技术术语 失效——丧失功能或降低到不能满足规定的要求。 失效模式——失效现象的表现形式，与产生原因无 关。如开路、短路、参数漂移、不稳定等 失效机理——失效模式的物理化学变化过程，并对导 致失效的物理化学变化提供了解释。如电迁移开路，银电化学迁移短路 应力——驱动产品完成功能所需的动力和加在产品上的环境条件。是产品退化的诱因。 继电器、铝电解、DC/DC、连接器的失效原因;一、以失效分析为目的的电测技术 电性能分析 目的 电性能评价，分析样品失效前后电性能变化特征－电性能定位、电参数变化与失效机理的求证。 ??主要设备 I－V特性曲线分析;半导体参数分析;LCR参数分析;抗静电放电能力分析;集成电路参数分析;机械探针分析;绝缘、耐压分析; ;一、以失效分析为目的的电测技术 电测在失效分析中的作用和风险防范 重现失效现象，确定失效模式，缩小故障隔离区，确定失效定位的激励条件，为进行信号寻迹法失效定位创造条件。 在特定条件下，从一些敏感参数的电测结果可确定失效机理，简化失效分析步骤 为防止引入新的失效机理，进行开封、去钝化层等样品制备过程后，需对样品重新进行电测。 集成电路失效定位 打开封装—显微镜观察—芯片电机激励—表面节点电压、波形或发光异常点——失效定位。用电激励的方法暴露故障点，必须先进行电测试。 理想的电测技术是无损测试技术;一、以失效分析为目的的电测技术 电参数测试 复杂 标准化 电参数失效—数值超出范围、参数不稳定 功能测试 已知激励信号 集成电路 电源、信号源和示波器 自动测试设备ATE 检查器件应有的功能是否正确的测试 存储器 读写功能;一、以失效分析为目的的电测技术 连接性测试 确定开路、短路、漏电以及电阻值变化等失效模式 简单、应用广。现场失效占50%（ESD和EOS损伤） 待机电流测试 端口测试 ;一、以失效分析为目的的电测技术 连接性测试 待机电流测试 正常电源电压作用下，无信号输入时的集成电路的电源电流叫待机电流。好坏电路的待机电流的比较是确定失效原因和确定失效分析后续步骤的重要依据。如待机电流偏大，则说明芯片内部有局部漏电区域，应采用光辐射显微镜（EMM）做漏电区失效定位；如电流偏小，则说明芯片内部电源端或地端相连的部分金属化互连线或引线有开路；如电流为0，说明芯片与电源端或地端相连的金属化互连线或引线有开路。开路失效可试用X射线透视和开封镜检进行分析。 端口测试;一、以失效分析为目的的电测技术 连接性测试 例1 某便携式CD机电路的待机电流偏大疑为芯片局部漏电所致。用光辐射显微镜（EMM）确定漏电位置，证实上述假设图，说明待机电流测试技术有效性。;一、以失效分析为目的的电测技术 连接性测试 例2 某EPROM待机电流偏小。失效样品与正常品的测量结果图所示。失效样品电源电流显著减小，疑为部分金属化互连线或内引线开路所致。开封镜检，观察到两条电源内引线之一烧毁，假设得到证实。图;;一、以失效分析为目的的电测技术 连接性测试 端口测试 由于ESD保护电路广泛用于CMOS电路，电源端对输入/输出端以及输入/输出端对地端可等效为两个串联的二极管图，而CMOS电路的内电路的输入端为MOS器件，由MOS器件栅极的绝缘性，各端口对地端/电源端以及电源端对地端的正常I-V特性类似于二极管的I-V特性。测量并比较好坏电路各端口对地端或对电源端I-V特性，可确定失效端口。也可对好坏电路各端口对地端或电源端作正反向的电阻测量，确定失效端口。;;一、以失效分析为目的的电测技术 连接性测试 例3 系统内可编程电路（ISP）输出信号不随输入信号变化。 测量失效样品和正常样品各输入/输出端对地端的正向电阻，并比较各样品的测试结