微电子第二章 集成器件物理底子1.pptVIP

  • 6
  • 0
  • 约8.77千字
  • 约 53页
  • 2018-05-29 发布于贵州
  • 举报
微电子第二章 集成器件物理底子1

第二章 集成器件物理基础 2.0引言 2.1半导体及其能的模型 2.2 半导体的导电性 2.3PN结和晶体二极管 2.4双极性晶体管 2.5JFET与MESFET器件基础 2.6MOS场效应晶体管 2.0引言 本章首先介绍半导体材料的物理性质,包括半导体的导电机构、能带的概念以及半导体中载流子的运动规律。在此基础上介绍集成电路中主要半导体器件的基本物理特性及其分析方法,包括PN 结、双极型晶体管(BJT)、金属- 氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)等器件的工作原理和特性,并给出电路模拟软件中描述这些器件特性的模型与基本模型参数。 2.1半导体及其能的模型 2.1.1半导体及其共价键结构 2.1.2 半导体的能带模型 2.1.3 费米分布函数 2.1.1半导体及其共价键结构 1.半导体材料 2.集成电路中常用元素的原子结构 3.硅晶体中的共价键 4.单晶和多晶 5.半导体的导电机构 1.半导体材料 (1)导体、半导体和绝缘体 物质导电能力的强弱用其电导率表示。电导率的倒数称为电阻串。按照电阻率的大小可将自然界中的物质分为导体、半导体和绝缘体三类, 1.半导体材料 1.半导体材料 (2)掺杂”对半导体电导率的影响 在集成电路中,半导体材料之所以起着突出的作用,并不是由于其导电能力在“数量”上介于导体和绝缘体之间

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档