微电子第二章 集成器件物理根本 6.pptVIP

2.6 MOS场效应晶体管 2.6.1 MOS晶体管结构 2.6.2 MOS晶体管工作原理 2.6.3 MOS晶体管直流伏安特性定性测量结果 2.6.4 MOS晶体管的阈值电压 2.6.5 MOS晶体管特点 2.6.7 硅栅MOS结构和自对准技术 2.6.8 高电子迁移率晶体管 2.6.0 引言 MOS贴晶体管和MOS工艺具有独特的优点。 促进MOS晶体管发展主要有以下四大技术 (a)半导体表面的稳定化技术； (b)各种栅绝缘膜的实用化； (c)自对准结构MOS工艺； (d)阈值电压的控制技术。 另外，MOS在一些特种器件，如CCD(电荷耦合器件)、BDD(斗链器件)和其他的敏感器件方面应用也非常广泛。本节重点介绍MOS晶体管的工作原理和在电路应用中的MOS晶体管模型 2.6.1 MOS晶体管结构 1．MOS晶体管结构示意图 图2.52(a)显示的是N沟MOS增强型晶体管的典型结构。P沟晶体管结构与其类似，只需要将图中P和N导电类型分别改为N和P，同时改变电源极性。 MOSFET结构 MOSFET工作原理（NMOS为例） 半导体表面场效应 1. P型半导体 NMOS晶体管工作原理 2.6.1 MOS晶体管结构 2．MOS结构 虽然MOS晶体管与JFET都是电压控制器件，即通过栅源电