光电二极管光电池.pptxVIP

一、两种工作模式 p-n结光伏探测器用图（a）中的符号表示， 它等效为一个普通二级管和一个恒流源（光电流源）并联，如图（b）所示。;我们知道，普通二极管的伏安特性为 ; 第一象限是正偏压状态，iD本来就很大，所以光电流不起主要作用，在这一区域工作没有意义。 第三象限是反偏压状态，这时，它是普通二极管中的反向饱和电流，现在称为暗电流（对应于光功率P=0），数值很小，这时的光电流（等于i－is）是通过探测器的主要电流。 ;在第四象限中，外偏压为零时，流过探测器的电流仍为光电流，这时探测器的输出是通过负载电阻RL上的电压或流过RL上的电流来体现的，因此称为光伏工作模式。相应的探测器称为光电池。;; 为保证输出光电流和入射光功率之间呈线性关系，如何确定电路的最佳负载电阻。 当光信号功率由P′慢慢变化到P″，为使输出光电流和入射光功率???间呈线性变化，负载线必须通过M′点的右方。 如还要求输出电压最大，则负载线必须通过 M′点，这时最大输出电压umax可求得为;;如进一步要求电流输出最大，则由图可知，在给定V值后，通过u轴上V值的点并垂直于 u轴的负载线，即GL＝∞或RL＝0的负载线，具有最大的电流输出，显然有 ; 当光电二极管用于对脉冲光信号探测时，其探测电路和伏安特性如图所示。假定光信号功率作正弦脉动， 即P＝P0+Pmsinωt ; Rs是体电阻和电极接触电阻，一般很小。考虑到这两个因素之后，工程计算的简化等效电路如（b）所示。其高频截止频率fC为 ; ;由于光电二极管常常用于微弱信号的探测。因此了解它的噪声性能是十分必要的。图是光电二极管的噪声等效电路。对高频应用，两个主要的噪声源是散粒噪声 和电阻热噪声 。 ; 式中is、ib、id分别是信号光电流、背景光电流和反向饱和暗电流的平均值。 由式可见，从材料及制造工艺上尽量减小id，并合理选取负载电阻RL是合理减小噪声的有效途径。 制造光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。 由于硅器件较之锗器件暗电流小得多，频率特性好，因此硅光电二极管得到了广泛的应用。;二、PIN硅光电二极管;异质结是由两种不同的半导体材料形成的 p-n结。p-n结两边是不同的基质材料，两边的禁带宽度不同。; 而能量小于宽禁带的长波光子都能顺利到达结区。被窄禁带材料吸收，产生光电信号。 所以，异质结的宽禁带材料具有滤波作用。一般异质结探测器的量子效率高、背景噪声较低、信号比较均匀、高频响应好。 异质结光电二极管有Si-PbS， CdS-PbS，Pb1-xSxSb-Pbs，Pb1-xSnxTe-PbTe…等。; 雪崩光电二极管是利用二极管在高的反向偏压下发生雪崩倍增效应而制成的光电探测器。 这种器件有电流内增益，一般硅或锗雪崩光电二极管电流内增益可达102--103，灵敏度高，响应速度快，在超高频的调制光照射下仍有很显著的增益。 光电流增益的大小用倍增因子M表示，M随反向偏压V的变化可用下面的经验公式近似表示;式中V为外加反向偏压，VB为击穿电压，n是与半导体材料有关的常数，对n+p结，n≈2，对 p+n结，n≈4。;这是一种由金属和半导体接触所制成的光电二极管，所以这种光电二极管也称为金属半导体光电二极管： ; 由于金属内部自由电子浓度很大，约1022厘米-3，可以认为负电荷集中在金属接触表面，而半导体的掺杂浓度一般比较低，约1018厘米-3，于是半导体一侧失去电子的正电中心分布在离接触面较厚的区域，厚约10-4－10-5厘米，在这一区域由于电子大部分已迁移到金属那边。; 直接把太阳光能转换成电能的器件(光伏效应)，光伏效应本质上是由于吸收光辐射而产生电动势现象。; 1954年第一个实用半导体硅pn结太阳电池的问世，证明了这一点。 半导体太阳电池的优点是效率高、寿命长、重量轻、性能可靠，甚至可以不用维护，使用方便。从1958年开始，用作人造卫星、宇宙飞船、行星际站的重要长期电源。 ;;; 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。 ;半导体太阳电池种类繁多。 有太空用太阳电池的理想材料硅、砷化镓、 磷化铟单晶； 多晶硅， 还有适宜发展低成本太阳电池的非晶硅、 硒铟铜、 碲化镉、 硫化镉等薄膜材料。 ;一、光伏效应的两个基本条件 光伏效应就是半导体材料吸收光能后，在其势垒区两边产生电动势的效应。光伏效应是半导体太阳电池实现光电转换的理论基础。; 第一，半导体材料对一定