第3章 节 非热平衡状态下的半导体 《半导体物理学简明教程》课件.ppt

西安理工大学电子工程系　马剑平;3.1 半导体的非热平衡状态;3.2 复合理论;3.3 额外载流子的运动;3.4 电流连续性方程及其应用;西安理工大学电子工程系　马剑平;3.1 半导体的非热平衡状态;3.1.1 额外载流子的产生与复合;1、非热平衡态的特征;2、额外载流子的产生;西安理工大学电子工程系　马剑平;3、弛豫过程;弛豫过程中的能量守恒和动量守恒;3.1 半导体的非热平衡状态;1、额外载流子参与导电的实验;2、复合几率、复合率与产生率;3、额外载流子随时间衰减的规律;τ;不同材料的少子寿命;3.1 半导体的非热平衡状态;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;3.2 复合理论;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;2、直接辐射复合过程决定的少子寿命;3 实际半导体的直接辐射复合寿命;材料;3.2 复合理论;1、通过单一复合中心的复合过程（SRH模型）;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;2、通过单一复合中心的净复合率;3、复合中心的有效性;西安理工大学电子工程系　马剑平;5、俘获系数与俘获截面;3.2 复合理论;西安理工大学电子工程系　马剑平;1、表面复合速度;2、考虑表面复合的有效寿命;3.2 复合理论;西安理工大学电子工程系　马剑平;直接俄歇复合（带间）;2）复合过程的逆过程（俄歇产生）;俄歇复合寿命 ;3.2 复合理论;西安理工大学电子工程系　马剑平;3.2.5 陷阱效应及其对复合的影响;1、陷阱条件;2.陷阱中心的有效性;3、陷阱对复合过程的影响;3、陷阱对复合过程的影响;西安理工大学电子工程系　马剑平;3.3 额外载流子的运动;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;2、局部注入额外载流子的扩散;西安理工大学电子工程系　马剑平;3.3 额外载流子的运动;3.3.2 扩散方程在不同边界条件下的解;2、有限厚度样品;3、高维扩散方程（点注入情况）;3.3 额外载流子的运动;3.3.3 电场中的额外载流子运动;3.3 额外载流子的运动;1、非均匀掺杂半导体中的载流子扩散;非均匀半导体中载流子的扩散和漂移;2、电场对半导体能带结构和热平衡载流子密度的影响;3、爱因斯坦关系式;西安理工大学电子工程系　马剑平;3.4 电流连续性方程及其应用;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;3.4.2 稳态电流连续性方程及其解;3.4.2 稳态电流连续性方程及其解;微分方程的普遍解;稳态连续性方程在强电场下的解;3.4.3 连续性方程的应用;2、局部注入的额外载流子脉冲及其在电场中的漂移;额外载流子随时间衰减的特点 ;西安理工大学电子工程系　马剑平;2）有外加电场情况;西安理工大学电子工程系　马剑平;2.稳态下的表面复合;考虑表面复合的稳态连续性方程的解;3.5 半导体的光吸收;3.5.1 吸收系数及相关光学常数;2）、吸收系数;3）、光学常数n、k和电学常数的关系;3.5.1 吸收系数及相关光学常数;;2）、有一定厚度的物体对光的吸收;3.5 半导体的光吸收;3.5.2 半导体的本征吸收;一、本征吸收;几种材料的本征吸收长波限;2、本征吸收过程中的选择定则;1）直接跃迁 电子在具有相同波矢k而分别属于价带和导带的两个状态A、B 之间的跃迁称为直接跃迁。本征吸收将形成一个连续的吸收带，并有长波吸收限?0＝Eg/h;2）间接跃迁和间接禁带半导体;由于间接跃迁的吸收过程一方面依赖于电子和电磁波的相互作用，另一方面还依赖于电子与晶格的相互作用，故在理论上是一种二级过程。这种过程的发生几率要比直接跃迁小很多。因此，间接跃迁的光吸收系数比直接跃迁的光吸收系数小很多。前者一般为1~1×103cm-1数量级，后者一般为1×104~1×106cm-1。 ;3.5 半导体的光吸收;1、激子（exciton）吸收;2）激子消失途径及电子与空穴之间的相互作用;3）激子吸收光谱 ;2、杂质吸收;杂质吸收曲线的基本特征;由于电子跃迁到导带底以上的较高能级，或空穴跃迁到价带顶以下的较低能级的几率都比较小，因此，杂质吸收谱主要集中在吸收限Ei的附近。由于Ei小于禁带宽度Eg，杂质吸收一定是在本征吸收限以外的长波方面形成吸收带。 ;Si中硼的吸收光谱 ;杂质中心除了只有确定能量的基态外，也像激子一样，有一系列类氢激发能级E1、E2、E3…。除了与电离过程相联系的光吸收外，杂质中心上的电子或空穴由基态到激发态的跃迁也可以引起光吸收。这时，所吸收的光子能