第9章 节 　高频电路的集成化与EDA.pptVIP

第9章　高频电路的集成化与EDA;9.1 高频电路的集成化 9.1.1 高频集成电路的类型 　　集成电路是为了完成某种电子电路功能，以特定的工艺在单独的基片上或基片内形成并互连有关元器件，从而构成的微型电子电路。集成电路是微电子技术的一个方面，也是它的一个发展阶段，并也在按照自己的规律发展着。高频集成电路就是集成电路技术高度发展的产物。近年来，随着高频固态器件技术和微电子技术的发展，各种高频集成电路层出不穷。但不论如何，这些高频集成电路都可以归纳为以下几种类型: 　　(1) 按照频率来划分，有高频集成电路、甚高频集成电路和微波集成电路(MIC)等几种。当然，根据频段的详细划分，高频集成电路也可以分得更细致。对于微波集成电路，又可以分为集中参数集成电路和分布参数集成电路两种。;　　(2) 与普通集成电路一样，高频集成电路可分为单片高频集成电路(MHIC)和混合高频集成电路(HHIC)。混合高频集成电路是将多种不同类型的集成电路(如单片电路、普通集成电路甚至分立元件等)混合而成的高频集成电路，其集成技术简单，制作容易，因此，初期的高频集成电路多为HHIC。单片高频集成电路则是将所有的有源器件(如晶体三极管或场效应管等)和无源元件(如电阻、电容和电感等)都沉积或生长在同一块半导体基片上或基片内。单片高频集成电路在初期主要是单元高频集成电路(如高频单片集成放大器、高频单片集成混频器、高频单片集成振荡器等)。随着技术的进步，MHIC的发展十分迅速，逐渐形成了各种不同功能的高频单片集成电路、单片集成前端甚至单片集成系统(包含高频前端)。;　　(3) 从功能或用途上来分，高频集成电路有高频通用集成电路和高频专用集成电路(HFASIC)两种。高频通用集成电路主要有高频集成放大器(包括宽带放大器、功率放大器、低噪声放大器(LNA)、对数放大器和可控增益放大器等)、高频集成混频器(Mixer)、高频集成乘法器、高频集成振荡器、高频开关电路、分频与倍频器和锁相环与频率合成器等，以及上述集成电路的相互组合。高频专用集成电路是用于专门用途的高频集成电路或系统，如正交调制解调器、单片调幅(AM)/调频(FM)???收机等。实际上，通用与专用并不一定有严格的界限。 　　应当指出，有些电路，如高频变压器、高频滤波器、平衡/双平衡混频器等，严格来讲不是高频集成电路(而是高频组件)，但不论从内部功能上还是从外部封装上来看，它们都与高频集成电路有相同的特点，因此，也可以把它们归入高频集成电路之列。;9.1.2 高频电路的集成化技术 　　1． 传统硅(Si)技术 　　1958年美国得克萨斯仪器公司(TI)和仙童公司研制成功第一批集成电路，接着在1959年发明了制造硅平面晶体管的“平面工艺”，利用半导体平面工艺在硅片内制作元器件，并按电路要求在硅片表面制作互连导体，从而制成高密度平面化的集成电路，完善了集成电路的生产工艺。此后，人们利用此种硅平面技术先后制造出了大规模集成电路(LSIC)和超大规模集成电路(VLSIC)。但此时集成的固态器件基本上都是双极型晶体管(BJT)。20 世纪70年代后半期，场效应管(FET)技术开始流行，在集成电路的集成工艺中,由场效应管工艺取代了双极型晶体管工艺,打破了双极型工艺一统天下的局面。场效应管是一种利用多子导电的单极型晶体管，;　　2． 砷化钾(GaAs)技术 　　以砷化钾材料替代硅材料形成的砷化钾技术主要用在微波电路中。砷化钾集成电路自1974年由HP公司首创以来，一直用在微波系统中。作为无线通信用高频模拟集成电路的选择, 砷化钾器件也只是近几年的事情。 　　砷化钾器件的结构主要有五种: 平面型肖特基势垒栅场效应管(简称平面型MESFET(金属半导体场效应管)); 自对准型MESFET; 结型栅场效应管(JFET); 金属氧化物场效应管(MOSFET); 高电子迁移率晶体管(HEMT)。在砷化钾器件中，砷化钾MESFET，由于其频响、噪声、增益、功率应用等性能优于其它工艺，因而在前端(低噪声放大器(LNA)、宽带放大、功率放大器、上/下变频器和微波开关等)或单片微波集成电路(MMIC)等微波固态器件中占有相当优势，成为高频和微波集成电路中十分重要的一种器件。 ;　　砷化钾MESFET的结构如图9-1所示，它是在一块半绝缘的砷化钾衬底上用外延法生长一层N型砷化钾层，在其两端分别引出源极和漏极，在两者之间引出栅极。对于砷化钾MESFET，栅长是一个决定最大工作频率(fmax)的关键参数。一般情况下，最大工作频率随栅长的缩短而提高。标准砷化钾MESFET的栅长为0.5 μm，其对应的fmax为 18GHz; 高性能的砷化钾MESFET的栅长为0.25μm，相应的fmax达25GHz。;图 9-1 砷化钾MESFET的结构;