第八讲-硅和锗中的缺陷.pdf

硅和锗中的缺陷 随着超大规模集成电路技术的发展，特别是 集成电路的特征尺寸越来越小，进入到nm尺 寸以后，对硅单晶的完整性提出了更高的要 求。大量事实表明，半导体材料中的各类缺 陷的存在对其性质，以及器件成品率等都具 有重大的影响。所以我们将介绍硅和锗单晶 中各类原生缺陷的形态、产生原因以及控制 方法等。此外还将讨论在材料加工过程中产 生的二次缺陷和微缺陷及其对材料性能的影 响。