第一章 特种陶瓷粉体的制备2(1).ppt

在蒸发过程中，原物质发出的原子与惰性气体原子碰撞而迅速损失能量而冷却，在原物质蒸气中造成很高的局域过饱和，导致均匀的成核过程，在接近冷却棒的过程中，原物质蒸气首先形成原子簇，然后形成单个纳米微粒。在接近冷却棒表面的区域内，单个纳米微粒聚合长大，最后在冷却棒表面上积累起来。用聚四氟乙烯刮刀刻下并收集起来获得纳米粉。 在蒸发法制备粉体时粒径的控制可用如下方法： （1） 可通过调节惰性气体压力，温度，原子量； （2） 蒸发物质的分压即蒸发温度或速率等来控制纳米粒子的大小； a.蒸发速率的增加（等效于蒸发源温度的升高）粒子变大 b. 原物质蒸气压力的增加，粒子变大（原物质气体浓度增大，碰撞机会增多，粒径增大） c. 惰性气体原子量加大，或其压力增大，粒子近似的成比例增大。 (如图) 惰性气体压力的增加，粒子变大。 大原子质量的惰性气体将导致大粒子。（碰撞机会增多，冷却速度加快）。 气体冷凝法优点： 表面清洁, 粒度齐整，粒度分布窄， 粒度容易控制。 2. 溅射法 用两块金属板分别作为阳极和阴极，阴极为蒸发材料，在两电极间充入Ar气(40~250 Pa)，两电极间施加的电压范围为0.3~1.5 kV。 由于两电极间的辉光放电使氩气电离成离子，在电场的作用下氩离子冲击阴极靶材表面，使靶材原子从其表面蒸发出来形成超微粒子，并在附着面上沉积下来，最后用刀刮的办法来收集超微粒子。 用溅射法制备纳米微粒的优点 可制备多种纳米金属，包括高熔点和低熔点的金属，而常规的热蒸发只适用于低熔点金属。 溅射法还能制备多组元的化合物纳米微粒，如?Al52Ti48，Cu91Mn9及ZrO2?等。 通过加大被溅射的阴极表面可提高纳米微粒的获得量。 粒子的大小及尺寸分布主要取决于两电极间的电压、电流和气体压力。靶材的表面积越大，原子的蒸发速度越高，超细微粒的获得量就越多。 3、激光诱导化学气相沉积（Laser induced chemical vapor deposition, LICVD） 激光法是美国麻省理工学院陶瓷实验室于1980年以后才开始大力研究的。 基本原理：利用反应气体分子(或光敏剂分子)对特定波长激光束的吸收，引起反应气体分子激光光解(紫外光解或红外多光子光解)、激光热解、激光光敏化和激光诱导化学合成反应，在一定工艺条件下(激光功率密度、反应池压力、反应气体配比和流速、反应温度等)，获得超细粒子空间成核和生长。 激光法合成纳米粉的装置（正交装置） 正交装置：激光束与反应气体的流向正交，使用方便，易于控制，工程实用价值大 。 举例：用连续CO2激光(10.6μm)辐照硅烷气体分子(SiH4)时，硅烷分子很容易热解，热解生成的气相硅Si(g)在一定温度和压力条件下开始成核和生长，生成硅纳米颗粒: SiH4 （g） Si (g) +2H2 (g) 粒子成核后的典型生长过程包括如下五个过程： 反应体向粒子表面的输运过程 在粒子表面的沉积过程 化学反应(或凝聚)形成固体过程 其它气相反应产物的沉积过程 气相反应产物通过粒子表面输运过程 第三节 特种陶瓷粉体的制备 用SiH4除了能合成纳米Si微粒外，还能合成SiC和Si3N4纳米微粒，粒径可控范围为几纳米至70nm，粒度分布可控制在+/-几纳米以内。 激光法制取超细SiC粉体装置示意图 第三节 特种陶瓷粉体的制备 激光法具有颗粒表面清洁、颗粒大小可精确控制、无粘结，粒度分布均匀等优点，并容易制备出几纳米至几十纳米的非晶态或晶态纳米微粒，且粉体的纯度高，是一种很有发展前途的方法。 目前，激光法已制备出多种单质、无机化合物和复合材料超细微粉末。激光法制备超细微粉已进入规模生产阶段，美国的MIT(麻省理工学院)于1986年己建成年产几十吨的装置。 小结 液相法： 沉淀法 醇盐水解法 溶胶凝胶法 水热法 喷雾热解法 6种加热方式： 1）电阻加热； 2）高频感应加热； 3）激光加热； 4）电子束加热； 5）等离子喷射加热； 6）微波加热。 气相法 气体冷凝法， 溅射法 激光诱导化学气相沉积法 * 水热合成法可以采用两种不同的实验环境进行反应：其一为密闭静态，即将金属盐溶液或其沉淀物置人高压反应釜内，密闭后加以恒温，在静止状态下长时间保温；其二为密闭动态，即在高压釜内加磁性转子，密闭后将高压釜置于电磁搅拌器上，在动态的环境下保温。一般动态反应条件下可以大大加快合成速率。目前，水热合成法作为一种新科技已经引起人们的重视。其中日本开发的水热合成法独具特色，将锆盐或其他金属盐溶解于高温高压的水中，得到了粒径、形状和成分均匀的高质量氧化锆、氧化铝