常用半导体器件2二极管.pptVIP

3） 稳压管的主要参数: ①稳定电压UZ ②稳压电流IZ ③额定功耗PZM 4） 稳压管的稳压条件: （1） 必须工作在反向击穿状态； （2） 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。 P69 作业：习题1-2 1-3 1-5题。 第32页/共36页 【例3】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V时输出UO的值。 （2）若UI为35V时负载开路，则会出现什么现象？ 解题思路 ①假设稳压管不工作（开路），求出其两端电压，是否满足稳压条件； ②假设稳压管工作（稳压），看其是否满足稳压条件。 第33页/共36页 解：假设稳压管不工作 Uo′ UI为10V时 UO ′ = UI ·RL/(RL+R)=3.33V ∵ UO ′ UZ ∴稳压管不工作，UO=3.33V 【例3】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 （1）计算UI为10V时输出UO的值。 第34页/共36页 解：假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ′ = UI · RL/(RL+R)=6.7V UO ′ UZ ∴ UO=6V 【例3】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 （1）计算UI20V时输出UO的值。 假设稳压管工作 IR=(UI-UZ)/R=18mA IL=UZ/RL=12mA ∵ IZmin IDZ IZmax IDZ = IR- IL =6mA 第35页/共36页 解：UI为35V时,同理可求出： UO =6 V UO ′ UZ ∴稳压管将因功耗过大而损坏 【例3】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 （1）计算UI为35V时输出UO的值。 （2）若UI为35V时负载开路，则会出现什么现象？ 假设稳压管工作 IR=(UI-UZ)/R =29mA ∵ IDZ IZmax IDZ = IR- IL =29mA （2）UI为35V时负载开路 第36页/共36页 注意：多数载流子的数量多少取决于半导体中掺入杂质的浓度，掺入杂质的浓度的浓度越高多数载流子的数量越多； 少数载流子的浓度多少取决于半导体所在环境的温度，半导体所在环境的温度高载流子的数量多。 3、杂质半导体 1）N型半导体：自由电子为多数载流子; 空穴为少数载流子。 2）P型半导体：空穴为多数载流子; 自由电子为少数载流子。 第1页/共36页 4、PN结的导电特性—单向导电性。 2） PN结加反向电压——截止。 1） PN结加正向电压——导通； 第2页/共36页 1.2 半导体二极管 第3页/共36页 一、半导体二极管的结构、符号和分类 2、二极管的符号：文字（字母）符号--D P N 阳极 阴极 1.2 半导体二极管 1、基本结构：将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。 由P区引出的电极为阳极（A） ， 由N区引出的电极为阴极（K）。 D 第4页/共36页 3、分类 2 ）按结构分: 1）按材料分：硅二极管、锗二极管。 ①点接触型二极管： 适用于小信号的整流和在高频检波等电路中工作。 ②面接触型二极管： 适用于在低频电路中工作，通常用作整流管。 ③平面型二极管： 在电路中用作脉冲数字电路中的开关管或大功率整流。 第5页/共36页 **二、伏安特性——二极管两端的电压与通过二极管电流的关系曲线，函数表示为：i = f(u)。 u i 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 死区电压 硅管：0~0.5V, 锗管：0~0.1V。 1、伏安特性曲线 反向截止 二极管加正向电压 二极管加反向电压 第6页/共36页 u i 导通压降: 硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 死区电压 硅管：0~0.5V, 锗管：0~0.1V。 2、二极管的工作情况: 用特性曲线说明： 正向导通 正向截止 反向截止 二极管的工作区 二极管非工作区 第7页/共36页 环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。在室温附近,温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C，反向电流约增大1倍。二极管的特性对温度很敏感。 温度对二极管伏安特性的影响 第8页/共36页 三、 二极管的主要参数 1.最大整流电流IF 2.最高反向工作电压UR 二极管长期运行时允许通过的最大平均电流。 二极管