大连理工大学模拟电子线路复习课件.pptVIP

第63页/共73页 3.5.3 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I V 照度增加 第64页/共73页 图2―26 光电二极管的符号及特性 (a)符号;(b)光谱特性；(c)光照特性 第65页/共73页 3.5.4 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 第66页/共73页 图发光二极管 (a)符号；(b)光谱特性 第67页/共73页 图 二极管型光电耦合器 第68页/共73页 第69页/共73页 1.半导体传感器 半导体应用 2.半导体制冷器 吸热 P N 正极 负极 放热 冷端 热端 第70页/共73页 本征半导体及其载流子 PN结及其单向导电性 杂质半导体及其载流子 PN结的击穿 半导体二极管 第71页/共73页 D1 D2 15V 12V A O 3k B -15V -12V 0V D1导通 D2截止 VAO=0V 第72页/共73页 10V 15V + - D 25k 140k 5k 10k 18k 2k A B C VA =1V VC =2.5V VB =VC+1V =3.5V VAVB D截止 第73页/共73页 * * 第31页/共73页 3.3.2 伏安特性 V I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压VBR 第32页/共73页 3.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 第33页/共73页 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 第34页/共73页 3.3.4 二极管的等效电路 1）微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 第35页/共73页 根据理论分析,二极管的电流与端电压VD存在如下关系: 第36页/共73页 2） 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N 第37页/共73页 CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 第38页/共73页 3.4.2 晶体二极管模型 对电子线路进行定量分析时，电路中的实际器件必须用相应的电路模型来等效，根据分析手段及要求的不同，器件模型将有所不同。例如，借助计算机辅助分析，则允许模型复杂，以保证分析结果尽可能精确。而在工程分析中，则力求模型简单、实用，以突出电路的功能及主要特性。下面我们将依据二极管的实际工作条件，引出工程上便于分析的二极管模型。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 第39页/共73页 二极管是一种非线性电阻(导)元件，在大信号工作时，其非线性主要表现为单向导电性，而导通后所呈现的非线性往往是次要的。 第40页/共73页 vD iD o 二极管理想模型 理想二极管 vD0 vD0 1 2 应用条件： 电源电压远比二极管的管压降大 第41页/共73页 二极管恒压降模型 vD iD o VD 理想二极管 vDVD vDVD 1 2 应用条件： 二极管的电流iD近似等于或大于1mA 二极管管压降 第42页/共73页 二极