扫描穿隧显微术.ppt

* 第三節 奈米科技 尺度 1nm奈米＝10－9 m米＝10?埃 研究微觀microscopic世界現象則可簡稱為微觀物理， 以量子力學為代表，量子效應無法忽略 奈米結構的大小約為1到100奈米，尺度在分子和次微米結構之間。在此尺度下，一些量子效應與現象特別顯著，所以，奈米結構可產生完全不同於大尺寸物質的新性質。 奈米結構的特徵之一為「高表面積／體積比」 奈米材料： 指材料的幾何形狀達到奈米尺度，並具有特殊功能的材料，其主要類型包括：奈米粒子、奈米管、奈米薄膜、奈米塊材等。奈米材料的製作亦可分為兩種方法 由下而上的次微米組合法 由上而下將大結構鑿刻為小結構以創造出實體的方法。 奈米科技大致可以分為三個領域 High-density carbon nanotubes 例 金塊的熔點為1063°C，且活性不高，而直徑5nm的奈米金粒，熔點降為730°C，且化學活性提高可作為觸媒。 TiO2的粒子直徑由微米小至奈米大小時，導電能力提高60倍。 顏料顆粒小至奈米等級可提升顏色強度更為鮮豔，甚至同一材質但不同顆粒大小即可顯出不同顏色 硒化鎘在不同粒徑下的產色 奈米元件：以分子、原子為起點，製造具特殊功能的元件。為製造具特殊功能的元件，大體有兩種方法： “由上而下” Top Down技術係利用微加工等方法，將元件不斷微小化， 由下而上 Bottom Up技術操控分子、原子，按照人類的意願進行設計與組裝。 耐熱材料 因為孔洞小至10nm，雖僅1cm厚，卻能使扶桑花不受到下端 800°C火焰的烘烤而燒毀 晶圓上的線路 奈米吉他 蓮花效應 指蓮葉表面不沾汙，易清潔的特性，是由於其表面絨毛大小接近奈米等級，使得灰塵及液滴與葉面的接觸面積很小，因而不易沾附在葉面上。 奈米檢測與表徵技術： 為了在奈米尺度上研究元件和材料的結構與性質，必須建立奈米檢測與表徵技術，以研究各種奈米結構的力、光、電、磁等性質。 電子掃描穿隧顯微鏡（ＳＴＭ） 原子力顯微鏡（ＡＦＭ） 近場光學顯微鏡（ＳＮＯＭ） 掃描穿隧顯微術 （Scanning Tunneling Microscopy） 源於1980年代初期，能解析出晶體表面的原子結構及電子分佈情形，發明人G. Binnig及H. Rohrer於1986年獲頒諾貝爾物理獎。此技術有效並穩定地操控金屬探針，且利用量子力學的電子穿隧原理，藉探針在距樣品表面僅約幾個原子大小的範圍內來回掃描，讓原子的排列具體地呈現，有助於我們從基本層面來瞭解許多物理及化學現象。此外，也展示了搬移原子的能力，同時也能人為地改變電子量子化的狀態，使製造原子級的材料和元件，已不再只是夢想。 原子力顯微鏡（ＡＦＭ）atomic force microscope 由Binnig、Quate和Gerber於1986年提出。利用特製的 微小探針，來偵測探針與樣品表面間的某種交互作用，然後使用一個具有三軸位移的壓電陶瓷掃描器，使探針在樣品表面來回掃描偵測，並利用此掃描器的垂直微調能力及回饋迴路，讓探針與樣品間的交互作用在掃描過程中保持一定距離(約10-10m)，只要紀錄掃描面上每一點的垂直微調距離，便可獲得樣品表面的等交互作用圖像，進而推導出樣品表面特性。 UHV AFM Image of NaCl (100) on Mica.Picture 近場光學顯微鏡（ＳＮＯＭ） Scanning Near-Field Optical Microscopy 近場光學是相對於遠場光學 遠場光學指光與所照射目標間的距離遠大於使用光波的波長，以進行光學的量測、觀測或光學作用，但受到光的繞射極限限制。 近場光學技術，是在遠小於光波波長的距離下，進行光學的量測、記錄或讀寫。讓光的波動行為在尚未開始展現的極近距離內，就已達成光學記錄與讀取的目的。 近場光學不僅可避開光的「繞射極限」的限制，還能進行超高解析度、超高辨識力的光學量測、觀測的目的。 *