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第五章放大电路的频率响应本章主要内容本章学时分配第一节频率响应
信阳农业高等专科学校
第五章 放大电路的频率响应
本章主要内容
本章重点讲述有关频率响应的基本概念,晶体管的高频小信号等效模型,单管共
射放大电路的频率特性分析,以及放大电路频率响应改善与增益带宽积。
本章学时分配
本章有2节,每节2学时。
第一节 频率响应概念、RC 电路频率响应及晶体管的高频等效模型
本节重点
1、频率响应的概念及近似分析方法:重点讲清概念的意义和掌握绘制幅频特性和相频特性的波特
图的方法。
2 、三极管的高频参数的定义及相互转换。
本节难点
1、频率响应的近似分析
2 、三极管的高频小信号模型
教学组织过程
本讲内容比较难,可采用多媒体生动的表现频率特性,分析三极管的高频小信号模型。
主要内容
1、频率响应的基本概念
A f A f f
放大电路的频率响应可由放大器的放大倍数对频率的关系来描述,即
式中 A(f )称为幅频特性,它是放大倍数的幅值与频率的函数式。
φ(f )称为相频特性,它是放大倍数的相位角与频率的函数式。
两种特性综合起来可全面表征放大倍数的频率响应。
由图可见,在一个较宽的频率范围内,曲线是平坦的,即放大倍数不随信号频率变化,其电压
放大倍数用 Aum 表示,在此频率范围内,所有电容(耦合电容、旁路电容和器件的极间电容等)的
影响可以忽略不计。当频率降低时,耦合电容和旁路电容的影响不可忽略,致使放大倍数下降。当
频率升高时,器件的极间电容的影响不可忽略,放大倍数亦下降。
f L 和f H 分别称为下限截止频率(简称下限频率)和上限截止频率(简称上限频率)它们是放大
1 2
倍数下降到中频放大倍数的 倍时所确定的两个频率。
低频区:低于f L 的频率范围称为低频区。
高频区:高于f H 的频率范围称为高频区。
中频区:介于f L 和f H 之间频率范围称为中频区,通常又称为放大电路的通频带f bw=f H -f L 。
2 、频率响应的基本分析方法
1) 波特图:一种频率响应曲线图,此图为半对数坐标图,即频率采用对数分度,而幅值(以 dB
表示的电压放大倍数)或相位角则采用线性分度。
2) 在近似分析中,为了缩短坐标,扩大视野,常采用折线化的近似波特图法描绘幅频特性和相频
特性曲线。
3、RC 低通电路和高通电路
(1)放大电路的频率响应的特征可用RC 低通电路和高通电路来模拟。
第 1 页 共 3 页 计算机科学系
信阳农业高等专科学校
截止频率f
(2 ) L 和f H 是频率响应的关键点,无论是幅频特性还是相频特性,基本都是以它为中心
而变化的,求出f L 和f H 后就可近似地描绘放大电路完整的频率响应曲线。
(3 )f L 和f H 都是与对应的回路时间常数τ=RC 成反比。
4 、晶体管的高频等效模型
晶体管的混合π模型,是采用物理模拟的方法,从三极管的物理模型抽象成的等效电路。P132
图3.7 和 P133 图3.8 分别为晶体管的完整的混合π模型和简化的混合π模型。
5、三极管的高频参数
(1)f β:共射电流放大倍数β的截止频率,其值主要决定于管子的参数,即
1 2 r Cf C
be
(2 )f T :特征频率,使β下降到 1 时所对应的频率。f T = βf β
第二节 共射放大电路的频率响应以及增益带宽积
本节重点
1、单管放大电路频率响应的分析,重点掌握下限截止频率和上限截止频率求解方
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