(模拟电子技术知识基础)5.半导体三极管01.ppt

5 双极结型三极管及放大电路基础 5.1 BJT 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.2 基本共射极放大电路 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管 5.1 BJT（半导体三极管） 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电， 故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态 放大状态下BJT中载流子的传输过程 电流分配关系（共基极） 根据传输过程可知 IC= ICN+ ICBO IB= IEP + IBN- ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数，与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关一般 ? = 0.9?0.99 IE = IEP + IEN=IB-IBN+ICBO+IBN + ICN = IB-IBN+ICBO+IBN +IC-ICBO = IB+IC IE= IEP + IEN IEN= IBN + ICN IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？ 电流分配关系（共射极） ? 是另一个电流放大系数，同样，它也与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关。与外加电压无关。一般 ? 1 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 （以共射极放大电路为例） 输入特性曲线: 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 2. 输出特性 β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线: 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。发射结反偏，集电结反偏. 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 （动画5-2） (1)共发射极直流电流放大系数 =IC / IB ? vCE=const 1. 电流放大系数 5.1.4 BJT的主要参数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (3) 共基极直流电流放大系数 =IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数? ?=?iC/?iE? VCB=const 5.1.4 BJT的主要参数 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 （5）特征频率fT 三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（