inalnganhemt器件结构设计与模型-structural design and model of inalnganhemt device.docx

摘 要功率半导体器件在电源管理、消费电子、电力传输等领域得到广泛的应用，对 人们的生活产生深远影响。硅基半导体器件经过几十年的发展，其性能几乎超过其 材料的理论极限，然而电子系统的飞速发展，对功率器件的要求越发严苛，寻找高 性能的功率半导体材料迫在眉睫。相对于第一代半导体材料硅，化合物半导体材料 氮化镓（GaN）具有禁带宽、电子饱和速度高、临界击穿电场大等优点，这赋予了 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）具有开关速度快、导通电阻低、击穿电压高等 特点。InAlN/GaN 异质结在势垒层 In 组分为 17%时可以实现晶格匹配，有效地增加 器件的可靠性，而且 InAlN/GaN 异质结由于超强的自发极化效应可以实现高浓度 2DEG，极大地提高器件的电流密度。然而 InAlN/GaN HEMT 在大范围应用之前还 面临许多挑战，比如电流崩塌、泄漏电流的抑制、增强型器件技术，以及晶圆材料 质量的提升等。本文的主要内容如下：（1）结合相关文献对 GaN 异质结的极化效应和 GaN HEMT 工作机理以及增 强型器件的实现方式做了理论分析，对 GaN 基 HEMT 的电流崩塌成因、抑制方法 进行深入讨论。基于自己在中科院微电子所和苏州纳米所的流片经验和已有资料对 GaN HEMT 的关键工艺方法做了介绍。（2）基于 Sentaurus 器件仿真平台对 InAlN/GaN HEMT 的两种常用增强型技 术凹槽栅结构与负离子注入技术进行仿真研究。分析凹槽深度和负离子注入体密度对器件阈值电压的影响，并结合能带结构建立凹槽栅结构 InAlN/GaN HEMT 阈值电压模型。（3）采用肖特基源 InAlN/GaN HEMT 技术，低功函数的肖特基金属代替常规HEMT 结构的欧姆源极。该结构源极金属可以避免高温退火，有效改善了金属与 半导体的接触形貌，进而可以降低反向漏电、提高耐压。本文首先通过仿真研究肖特基源 InAlN/GaN HEMT 技术相对于常规 HEMT 反向特性的改善，然后通过实际 器件的制备测试验证肖特基源 InAlN/GaN HEMT 可以有效提高器件的击穿耐压。关键词: 氮化镓，InAlN/GaN，HEMT，增强型，肖特基源ABSTRACTPower semiconductor devices are widely used in power management, consumer electronics, power transmission, have a profound influence on human life. Silicon semiconductor device have been developing decades, and their performance is approaching the theoretical limits of the material, while the rapid development of electronic systems need higher performance power devices, this forcing researchers to try new semiconductor materials imminent. Gallium nitride (GaN) compound semiconductor material have the merits of wide bandgap, high electron saturation velocity, large critical breakdown field, which enables GaN high electron mobility transistor (HEMT) to keep fast switching speed, low conduction resistance and high breakdown voltage.InAlN/GaN heterojunction could be obtained with lattice-match when the barrier layer mole fraction of InN of 17%, effectively increasing device reliability. InAlN/GaN can achieve super high concentration 2DEG due to strong spontaneous polarization effect, which greatly increase the device current density, proves to be a p