inasgaas量子点生长及两段式半导体光放大器研制-growth of inas gaas quantum dots and development of two-stage semiconductor optical amplifier.docx

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2018-05-29 发布于上海
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inasgaas量子点生长及两段式半导体光放大器研制-growth of inas gaas quantum dots and development of two-stage semiconductor optical amplifier

showthatthecarrierrecoverytimecanbeeffectivelyreduced,andthepatterneffectofconvertedlightcanbegreatlysuppressed.ThegrowthofInAs/GaAsQDsisstudied.Atfirst,thegrowthmechanismofQDgrowthisanalyzed,andtheeffectsofgrowthparametersontheQDpropertiesarediscussed.Secondly,theInAsQDcharacteristicswithdifferentcaplayersaresystematicallyinvestigated,theresultsshowthatthedoublecaplayerstructurewithlow-temperatureandhigh-temperaturelayercangreatlyimprovetheQDs’performance.Inaddition,theIngradedInGaAscaplayercanincreasephotoluminescenceintensityandimprovetheuniformityoftheQDsize.Finally,anInAs/GaAsQDstructurewiththefullwidthathalfmaximum(FWHM)of183nmisobtained.TheinfluencesofIncompositionofInGaAsstrain-reducinglayerandtheInAscoverageontheopticalpropertiesofmulti-modalQDsarestudied.ThepreparationoflaterallyalignedInAs/GaAsQDMsisstudied.Aself-assembledgrowthmethodisproposed,whichdoesnotrequirespecialtemplateandprocess,andQDMsarefabricatedbyMOCVDthroughappropriatelyselectinggrowthparameters.Sothemethodhastheadvantageofsimpleimplementation.TheexperimentresultsshowthattheformationofQDMsisverysensitivetogrowthtemperatureandInAscoverage,anditcausestheredshiftofemissionwavelength.TheeffectsofInGaAscaplayerontheopticalpropertiesarealsoinvestigated,andtheresultsshowthatredshiftofPLwavelengthisobservedwithincreasingtheIncompositionandthicknessofInGaAsSRL.Finally,aQDMsamplewithhighemissionefficiencyandFWHMof209nmisgrown.Itisverypromisingforthebroad-spectrumQDMstoemployinbroad-spectrumdevices.Keywords：SemiconductoropticalamplifiersMulti-quantumwellQuantumdotsQuantumdotmoleculesMetal-organicchemicalvapordeposition独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本论文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□，在年解密后适用本授权书。不保密□√。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日1绪论1.1半导体光放大器发展扼