《光电子技术知识基础》(第二版) 第6章 光电探测技术知识基础.ppt

6.4 光电探测器 本节首先在前述光电探测物理基础上综合分析了各类光电探测器，接着介绍几种典型光探测器。 6.4.1 光电探测器类型 1.光电探测器分类 光探测器的分类可以按其工作时所利用的物理效应来划分，也可以根据探测器结构形式来分，还可以根据探测方式来分。 根据探测器结构形式，可将探测器分为单元探测器和多元探测器，其中的多元探测器已由线阵发展为面阵，且目前已能将探测器阵列与信号处理电路集成为半导体集成块，大大方便了应用。 根据探测方式不同可分为直接探测和外差探测。 各种分类方式中，更多的是根据光电探测工作时所依据的各种物理效应来对光电探测器进行分类。这种分类中，以光电导模式工作的反偏结型光探测器与光电三极管的归属问题存在歧义。有人将之归入结型光电导类探测器，有人将其归入光导模式结型光伏探测器，就现有资料来看，更多学者倾向将其归入光伏探测器。表6-1为将光电导模式工作的反偏结型光探测器与光电三极管归入光伏效应类型中时，光电探测的物理效应与相应探测器分类表。 * 第6章 光电探测技术基础 主要内容 6.1 光探测器性能参数 6.2 光电探测方式 6.3 光电探测的物理效应 6.4 光电探测器 光电探测技术基础 光电探测技术就是把被调制的光信号转换成电信号并将信息提取出来的技术。光探测过程可以形象地称为光频解调，光探测器就是将光辐射能量转换成为一种便于测量的物理量的器件。光探测器的发展可追溯到1873年，英国的Smith和 May在大西洋横断海底电信局所进行的实验中发现，当光照射到用作电阻的Se棒后，其电阻值约改变30%，同年Simens将白金绕在这种Se棒上，制成了第一个光电池；1888年，德国的Hallwachs在作Hertz的电磁波实验中，发现光照射到金属表面上会引起电子发射，1909年，Richtmeyer发现，封入真空中的Na光电阴极所发射的电子总数与照射的光子数成正比，奠定了光电管的基础；接着美国的Zworkyn研制出各种光电阴极材料，并制造出了光电倍增管，并于1933年发明了光电摄像管；1950年，美国的Weimer等人研制出光导摄像管，1970年Boyle等人发明了CCD(电荷耦合器件)。如今，激光的发展进一步促进和刺激了光电探测领域的发展，各种光电探测器件大都已工业化、商品化，摄像机等已微型化。由于现阶段的激光系统可提供巨大的带宽与信息容量，因而光电探测技术在信息光电子技术中也就有了特别重要的意义。 6.1光探测器性能参数 表征光探测器的基本性能参数有量子效率 ，响应度 ，灵敏度 ，噪声等效功率 ，探测度 ，光谱响应和频率响应等。 (1)量子效率，又称量子产额，是指每一个入射光子所释放的平均电子数。它与入射光子能量(即入射光波长)有关。对内光电效应还与材料内电子的扩散长度有关；对于外光电效应与光电材料的表面逸出功有关。其表达式为： 式中P是入射到探测器上的光功率， 是入射光产生的平均光电流大小， 是单位时间内入射光子平均数， 是单位时间产生的光电子平均数， 是电子电荷。 理想光探测器应有 ，实际光探测器一般有 。显然，光探测器的量子效率越高越好。对于光电倍增管、雪崩光电二极管等有内部增益机制的光探测器， 可大于1。 (2)响应度 ，为探测器输出信号电压 与输入光功率 之比： 单位为V/W。 6.1光探测器性能参数 (3)灵敏度 为探测器输出信号电流 与输入光功率 之比： 和 均用来描述探测器输出电信号与输入光功率的关系，均是波长 的函数。入射光波长一定，则响应度与灵敏度确定。 (4)光谱响应，就是表征 (或 )随波长 变化的特性参数，如图所示。 光电探测器与热电探测器的光谱响应曲线 由于许多光探测器是基于光电效应而工作的，因而存在一个最低频率 ，只有入射光频率大于 才能有响应信号输出，相应存在一个探测波长极限 ，在时 ，探测器对于某一频率(波长)光的响应与探测器对该波长光子的吸收速率，即单位时间内入射的光子数密度成正比，因而 时，其响应随着波长的增加而呈线性上升。而 时，光谱响应曲线迅速下降到零。 光谱响应中还有一个重要参量，称为响应峰值波长，它指相对光谱响应曲线中对应于最高响应率的辐射波长