《模拟电子技术知识》任务1-1三极管.pptVIP

电子电路基础与实践（模拟部分） 保定电力职业技术学院 电子教研室 任务1 常用元器件检测及焊接技能训练 电阻和电容的标识与检测 常用电子仪器设备的使用 电子元器件和简单电子线路 的焊接技术 二极管、三极管的性能与检测 任务目标： 4 半导体三极管 三极管：由两个PN结、三根电极引线以及外壳封装构成。 (1) 三极管的基本结构 集电区 基区 发射区 集电结 发射结 N P N B E 集电区 基区 发射区 集电结 发射结 P N P C B E NPN型三极管 PNP型三极管 C B E C B E 三极管制作工艺特点(P13) ① 发射区的掺杂浓度最高，便于发射结正偏时发射大量的载流子； ② 基区很薄，而且掺杂浓度比发射区和集电区要低的多； ③ 集电结面积较大。 三、 三极管的电流放大作用 1. 三极管的放大条件 为了使三极管能正常放大电流信号，除满足三极管内部工艺要求外，还需满足一定的外部条件：发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 若是NPN型三极管，为满足此条件，三个电极电位关系为UCUBUE。 若是PNP型三极管，为满足此条件，三个电极电位关系为UEUBUC。 2. 输出特性曲线 IC IB=0 IB=20 μA 40 60 80 UCE ② 饱和区： 特点：不满足IC＝βIB关系，这时IC＝ICS，失去电流放大特性。 条件：发射结正偏，集电结正偏。 ③ 截止区： 特点：IB≤0，IC＝ICS≈0，无电流放大特性。 条件：发射结反偏，集电结反偏。 ① 放大区： 特点：满足 关系，与UCE无关， 表现出电流放大特性。 条件：发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 放大区 截止区 (4) 三极管的主要参数 ① 电流放大系数： ② 集电极--基极反向饱和电流ICBO和穿透电流ICEO： ③温度对三极管参数的影响： C B I I β ＝ C B I I % Δ β ＝ Δ (5) 三极管的识别（P17) 自学