检测与传感技术知识单元六 光传感器.pptVIP

单元六 光传感器; 光传感器能将被测量的变化通过光信号的变化转换成电信号（电压、电流、电阻等）。具有这种功能的材料称为光敏材料，用光敏材料制成的器件称为光敏器件。 传统的光敏器件是利用各种光电效应制成的器件。光电效应可分为外光电效应和内光电效应两大类，内光电效应有分为光电导效应和光生伏特效应。相应的元件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管和光电磁等。光纤传感技术是光导纤维及光纤通讯技术的发展而另辟新径的一种崭新的传感技术。 ;任务一 光电式传感器;相关知识 ; ;（二）内光电效应及相应的器件;1．光敏电阻 （1）光敏电阻的结构与工作原理 光敏电阻又称光导管，它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，又可加交流电压。无光照时，光敏电阻阻值（暗电阻）很大，电路中的电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减小，电路中的电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻阻值一般在兆欧数量级，亮电阻阻值在几千欧以下。;图6-3 光敏电阻结构;（2）光敏电阻的主要参数 光敏电阻的主要参数有以下几个。 ① 暗电阻：光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流称为暗电流。 ② 亮电阻：光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻。此时流过的电流称为亮电流。 ③ 光电流：亮电流与暗电流之间的差值称为光电流。;① 伏安特性：在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。图6-4所示为硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线。由图可见，光敏电阻在一定的电压范围内，其I—U曲线为直线。说明其阻值与入射光量有关，而与电压电流无关。; ;③ 光谱特性：光敏电阻对入射光的光谱特性具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，亦称光谱响应。图6-6所示为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。对应于不同波长，光敏电阻的灵敏度是不同的，而且不同材料的光敏电阻光谱响应曲线也不同。 ;2．光敏二极管和光敏晶体管; ;（2）基本特性;② 伏安特性：图6-12（a）所示为硅光敏二极管的伏安特性。横坐标表示所加的反向偏压。当光照时，反向电流随着光照强度的增大而增大，在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所以只要没达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。;③ 频率特性：光敏管的频率特性是指光敏管的输出电流（或相对灵敏度）随频率变化的关系。光敏二极管的频率特性是半导体光电器件中最好的一种，普通光敏二极管频率响应时间达10?s。光敏晶体管的频率特性受负载电阻的影响，图6-13所示为光敏晶体管频率特性，减小负载电阻可以提高频率响应范围，但输出电压响应也减小。;图6-13 光敏电阻的频率特性 ;3．光电池 光电池是一种直接将光能转换成电能的一种光电器件。光电池在有光线作用时实质就是电源，电路中有了这个器件就不需外加电源 ;光电池的基本特性有以下几种。 （1）光谱特性 光电池对不同波长的光灵敏度是不同的。图6-16所示为硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线。从图中可知，不同材料的光电池，光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池波长在0.8?m附近，硒光电池在0.5?m附近。硅光电池的光谱响应波长为0.4～1.2?m，而硒光电池只能为0.38～0.75?m。可见，硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。 （2）光照特性 光电池在不同光照度下，其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性。图6-17所示为硅光电池的开路电压和短路电流与光照的关系曲线。从图中看出，短路电流在很大范围内与光照强度呈线性关系，开路电压（即负载RL无限大时）与光照度的关系是非线性的，并且在照度为2000lx时就趋于饱和了。因此用光电池作为测量元件时，应把它当作电流源的形式来使用，不宜作电压源。 ; 图6-16 硅光电池的光谱特性 ;（3）频率特性 图6-18所示分别给出硅光电池和硒光电池的频率特性，横坐标表示光的调制频率。由图可见，硅光电池有较好的频率响应。;图6-18 硅光电池的频率特性 ; 光电耦合器件是由发光元件（如发光二极管）和光电接收元件合并使用，以光作为媒介传递信号的光电器件。根据结构和用途不同，它又可以分为实现电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光电开关。;图6-20 光电耦合器的组合形式;2．光电开关 光电开关是一种利用感光元件对变化的入射光加以接收，并进行光电转换，同时加以某种