模拟电子技术知识项目化项目一直流稳压电源的制作与调试.ppt

1.1 项目描述1.2 知识链接1.3 项目实施1.4 项目总结;　　直流稳压电源的种类很多， 本项目只涉及单相小功率(通常在1000 W以下)直流稳压电源， 它的任务是将200 V/50 Hz的交流市电转换为幅值稳定的直流电压， 这种电源一般主要由变压环节、 整流环节、 滤波环节和稳压环节四部分组成， 其组成框图如图1-1所示。 在框图的每一部分下方画出了信号经各环节处理过的波形， 这些波形只是为了便于说明各部分的功能， 在实际电路中有的波形可能与图中不同。;;　　直流稳压电源各部分作用如下： 　　① 变压环节： 利用工频变压器， 将电网电压变换为所需要的交流电压， 一般采用降压变压器来实现。 　　② 整流环节： 利用二极管或晶闸管的单向导电性， 把交流电变换为单一方向的脉动直流电， 常采用二极管整流电路来实现。 　　③ 滤波环节： 将脉动直流电压中的脉动成分加以滤除， 得到比较平滑的直流电压， 常采用电容、 电感或其组合电路来实现。 　　④ 稳压环节： 在电网电压波动和负载变化时， 保持直流输出电压的稳定， 小功率稳压电源常采用集成三端稳压器来实现。;1.1.1 项目学习情境： 1.5 V~30 V可调直流稳压电源电路的制作与调试　　图1-2所示为1.5 V~30 V可调直流稳压电源电路的原理图， 该电路由变压环节、 整流环节、 滤波环节和稳压环节四部分组成。 　　本项目需要完成的主要任务是： 　　① 搭接、 测试整流电路； 　　② 搭接、 测试滤波电路； 　　③ 搭接、 测试稳压电路； 　　④ 整机调试。 ;;　　要完成项目任务需要具备一定的理论基础知识， 表1-2列出了项目一各项任务对应的相关知识点。 变压器的相关知识在电路分析基础中已经学过， 因此变压环节在这里不作太多的涉及， 而整流环节的核心元件是半导体二极管， 因此下面将从半导体基础知识开始展开直流稳压电源相关理论知识的学习。 ;;1.2.1 半导体基础知识　　自然界的物质按导电性能来分， 可分为导体、 绝缘体和半导体， 其中我们常见的铜、 铁、 铝等金属材料都是良好的导体， 而陶瓷、 水泥、 橡胶等都是良好的绝缘体。 半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的一类物质， 常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)等。 　　一、 半导体的内部结构　　常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)的原子及一般半导体结构示意图如图1-3所示， 其原子最外层都只有4个价电子。 纯净的半导体材料为了达到原子外层有8个价电子的稳定状态， 原子与原子之间采用外层电子共享的方式构成共价键， 形成按一定规则整齐排列的半导体晶体结构， 其晶体结构示意图如图1-4所示。 ;;;　　二、 半导体的类型及其特征　　1. 本征半导体　　纯净的不含任何杂质、 晶体结构排列整齐的半导体称为本征半导体。 本征半导体在不受外界激发以及在绝对零度(T=0 K)时不导电， 但当受到阳光照射或温度升高时， 将有少量价电子获得足够的能量， 从而克服共价键的束缚而成为自由电子， 并在原来共价键的位置上留下一个空位， 称为空穴。 　　自由电子带负电， 空穴带正电， 自由电子和空穴像一对孪生姐妹一样相伴而生， 被称为半导体内部的两种载流子， 本征半导体会在这两种载流子的作用下导电。 我们把这种产生电子-空穴对的过程称为本征激发， 如图1-5所示。 ;;　　2. 杂质半导体　　1) N型半导体 　　N型半导体指在本征硅(或锗)中掺入少量的五价元素， 如磷、 砷、 锑等。 由于五价元素外层有5个价电子， 它与四价元素形成共价键时， 多出一个价电子， 该价电子只受到本身原子核的束缚， 很容易摆脱原子核的束缚而成为自由电子， 因此N型半导体内部自由电子的数目大于空穴的数目。 　　在N型半导体内部， 由于自由电子是多数载流子， 我们将其称为多子， 空穴是少数载流子， 我们将其称为少子， 其结构示意图如图1-6所示。 ;;　　2) P型半导体 　　P型半导体指在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素， 如硼、 铝、 铟等。 三价元素外层有3个价电子， 它与四价元素形成共价键时， 少了一个价电子， 因此P型半导体内部空穴的数目要大于自由电子的数目。 在P型半导体内部， 由于空穴是多数载流子， 我们将其称为多子， 自由电子是少数载流子， 我们将其称为少子， 其结构示意图如图1-7所示。 ;;　　三、 PN结　　1. PN结的形成　　将一块P型半导体和一块N型半导体利用特殊工艺紧密的有机结合在一起时， 因为P区一侧空穴多， N区一侧自由电子多， 所以在它们的交界面处存在空穴和自由电子的浓度差； 于是N区中的自由电子会向P区扩散， 并在P