汽车电工电子技术知识(2版)第6章半导体器件及其应用.ppt

;　　　　　6.1 半导体基础知识6.1.1 P型与N型半导体　　在物理学中，按照材料的导电能力，可以把材料分为导体、绝缘体和半导体。衡量导电能力的一个重要指标是电阻率。导体的电阻率小于10－6 Ω·m，绝缘体的电阻率大于106 Ω·m，介于导体与绝缘体之间的物质被称为半导体。在电子技术中，常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)和化合物半导体如砷化镓(GaAs)等，目前最常用的半导体材料是硅。;　　本征硅原子最外层有四个电子，其受原子核的束缚力最小，称为价电子，如图6-1所示。 ;; 　　在本征半导体中掺入五价元素磷。由于掺入杂质比例很小，不会破坏原来的晶体结构。掺入的磷原子取代了某些位置上的硅原子，如图6-2所示。 ;;6.1.2 PN结及其特性　　在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体交界面附近就形成了PN结，如图6-4所示。;;　　通过PN结的电流为零。当电源正极接P区，负极接N区时，称为给PN结加正向电压或正向偏置，如图6-5所示。 ;;　　当电源正极接N区、负极接P区时，称为给PN结加反向电压或反向偏置。反向电压产生的外加电场的方向与内电场的方向相同，使PN结内电场加强，它把P区的多数载流子(空穴)和N区的多数载流子(自由电子)从PN结附近拉走，使PN结进一步加宽，PN结的电阻增大，打破了PN结原来的平衡，在电场作用下的漂移运动大于扩散运动，如图6-6 所示。 ;;　　　　6.2 晶体二极管及其应用6.2.1 二极管的结构与符号　　晶体二极管也称半导体二极管，是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加上两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，如图6-7所示。;;　　二极管的种类很多，按使用的半导体材料分，有硅二极管和锗二极管；按用途分，有普通二极管、整流二极管、检波二极管、混频二极管、稳压二极管、开关二极管、光敏二极管、变容二极管、光电二极管等；按结构分，有点接触型二极管和面接触型二极管。其中，点接触型二极管如图6-8所示，它是由一根细的金属触丝热压在半导体薄片上制成的。 ;;　　点接触型二极管的金属丝和半导体的金属面很小，虽难以通过较大的电流，但因其结电容较小，因而可以在较高的频率下工作。面接触型二极管如图6-9所示，它是利用扩散、多用合金及外延等掺杂质方法，实现P型半导体和N型半导体直接接触而形成PN结的。 ;;6.2.2 二极管的伏安特性　　二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与加于二极管两端的电压之间的关系。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的U－I曲线，称为二极管的伏安特性曲线。图6-10是二极管的伏安特性曲线示意图，这里以此为例来说明其特性。;;　　1. 正向特性　　2. 反向特性　　3. 反向击穿特性　　4. 温度对二极管伏安特性的影响;　　综上所述，二极管的伏安特性具有以下特点：　　(1) 二极管具有单向导电性。　　(2) 二极管的伏安特性具有非线性。　　(3) 二极管的伏安特性与温度有关。;6.2.3 二极管的主要参数　　1. 最大整流电流IFM　　2. 最高反向工作电压URM　　3. 反向电流IR　　4. 最高工作频率fM;6.2.4 二极管的应用　　1. 单相半波整流电路　　单相半波整流电路如图6-11所示。 ;;　　在u2的负半周(ωt =π~2π)，二极管VD因加反向电压而截止，RL上无电流流过，RL 上的电压uo = 0。可画出整流波形如图6-12所示。;;　　可见，由于二极管的单向导电作用，流过负载电阻的电流为脉动电流，电压也为一单向脉动电压，其电压的平均值(输出直流分量)为 即流过负载的平均电流为;　　流过二极管VD的平均电流(即正向电流)为加在二极管两端的最高反向电压为;　　2. 单相桥式整流电路　　单相桥式整流电路如图6-13所示，电路由电源变压器、负载电阻RL和四只接成电桥形式的整流二极管VD1～VD4组成，故有桥式整流电路之称。;;　　单相桥式整流电路电流路径如图6-14所示。;;　　在u2的正半周，电流从变压器副边线圈的上端流出，只能经过二极管VD1流向RL，再由二极管VD3流回变压器，所以VD1、VD3正向导通，VD2、VD4反偏截止，在负载上产生一个极性为上正下负的输出电压。　　在u2的负半周，其极性与图示相反，电流从变压器副边线圈的下端流出，只能经过二极管VD2流向RL，再由二极管VD4流回变压器，所以VD1、VD3反偏截止，VD2、VD4正向导通。电流流过RL时产生的电压极性仍是上正下负，与正半周时相同。其电路波形图如图6-15所示。;;