第七章 半导体存储器 数字电子技术知识专业课件.pptVIP

第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器(ROM) 7.3 随机存储器(RAM) 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.6 存储器的VHDL描述;7.1 概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息 (或称为二值数据)的半导体器件，其功能是在数 字系统中存放不同程序的操作指令及各种需要计 算处理的数据。半导体存储器是电子计算机以及 一些数字系统的不可缺少的组成部分。; 半导体存储器从存、取功能上可以分为两 大类： （1）只读存储器(Read Only Memory，简称 ROM) 只读存储器(ROM)又分为掩模ROM、可编 程ROM(Programmable ReadOnly Memory,简 称PROM)和可擦除的可编程ROM(Erasable Pr ogrammable Read Only Memory，简称EPR OM)几种不同类型。; （2）随机存储器(Random Access Memory, 简称RAM) 随机存储器(RAM)根据所采用的存储单元 工作原理的不同，又分为静态存储器(Static Ra ndom Access Memory,简称SRAM)和动态存 储器(Dynamic Random Access Memory,简称 DRAM)。 从制造工艺上又可以把半导体存储器分为 双极型和MOS型。MOS电路(尤其是CMOS电路 )具有功耗低、集成度高的优点，目前大容量的 存储器都是采用MOS工艺制作。;7.2 只读存储器(ROM) 7.2.1 只读存储器的电路结构 只读存储器属于非易失存储器，断电后所 存储的数据不消失。在只读存储器中的掩模 ROM、可编程ROM、可擦除的可编程ROM(如 EPROM)，一旦数据写入，正常工作时所存储的 数据是固定不变的，只能读出，不能随时写入。 电信号可擦除的可编程ROM(如EEPROM)、快 闪存储器(Flash Memory)在正常工作时所存储 的数据是可以读出，也可以随时写入，断电后所 存储的数据不消失。;成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩 阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输 出缓冲器。 输出缓冲器的作用有两个，一是能提高存 储器的带负载能力，二是实现对输出状态的三态 控制，以便与系统的总线连接。;7.2.2 掩模只读存储器 掩模只读存储器所存储的数据是按照用户 的要求而专门设计的，由用户向生产厂订做，在 出厂时内部存储的数据就已经被“固化”在里边了, 只能读出，不能写入。存储单元可以用二极管构 成，也可以用双???型三极管或MOS管构成。每 个单元能存放1位二值代码(0或1)每一个或一组 存储单元有一个对应的地址代码。 一个由MOS管构成具有2位地址输入码A1、 A０和4位数据输出D0～D3的掩模只读存储器电 路如图7.2.2所示。; 图7.2.2 用MOS管 构成的 掩模只读 存储器 存储矩阵;7.2.3 可编程只读存储器(PROM) PROM的总体结构与掩模ROM相同，所不 同的是在出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上 全部制作了存储元件。存储元件通常有两种电路 形式： 一种是由二极管组成的结破坏型电路； 另一种是由晶体三极管组成的熔丝型电路，结构 示意图如图7.2.3所示。; 图7.2.3 PROM 结构 示意图; 图7.2.4是一个4×４位熔丝型PROM结构示 意图。它由存储矩阵、地址译码驱动器以及读写 控制电路组成。图中存储矩阵由4×４个存储单 元组成。; 图7.2.4 熔丝型 4×４位 PROM 结构 示意图;7.2.4 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 最早研究成功并投入使用的 EPROM 是用 紫外线照射进行擦除的， 并被称之为EPROM。 因此， 现在一提到EPROM， 就指的是这种用 紫外线擦除的可编程ROM(Ultra-Violet Erasabl e Programmable Read-Only Memory，简称 UVEPROM)。 EPROM采用MOS型电路结构，其存储单 元通常由叠栅型MOS管组成。叠栅型MOS管通 常采用增强型场效应管结构。叠栅注入MOS管;(Stacked-gate Injection Metal-Oxide-Semico nductor,简称SIMOS管)的结构原理图和符号如 下图所示。 ; 由SIMOS管组成的256×１位EPROM如图 7.2.6所示，写入数据时漏极和控制栅极的控制 电路没有画出。256个存储单元排列成16×16矩 阵。输入地址的高4位加到行地址译码器上，从 16行存储单元中选出要读的一行。输入地址的 低4位加到