第三章 存储器体系结构 微型计算机原理和 与应用 电子教案 .pptVIP

PROM出厂时所存信息为全0或全1，用户可进行一次性写入。其构成方式有多种，小容量的可由多发射极晶体管构成，采用字译码方式，如图3.15所示。 对于大容量，多采用复合译码方式。其单元电路可由二极管构成，也可由MOS型三极管构成。 3.3.2 可编程只读存储器PROM 若用二极管或多发射极晶体管构成，是在发射极与位线之间通过熔丝连接。若用MOS型三极管构成，是在漏极与地线之间通过电熔丝连接。 写入时，根据写入数据，有选择地通一大电流，将某些单元电路中的熔丝烧断。比如写入0的单元熔丝烧断，那么写入1的单元熔丝保留。 读出时，熔丝烧断的单元无电流输出，熔丝保留的单元有电流输出，即读出0或1。 由于熔丝在烧断以后不能再恢复，因此称为一次性写入只读存储器。 可改写只读存储器是其中的内容可擦去，然后重新写入。其基本单元电路如图3.16（a）所示，称为浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。 ３.3.3 可改写只读存储器EPROM EPROM是在N型基片上生成两个高浓度的P型区，通过欧姆接触引出源极S和漏极D。在源和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无电气联接。多晶硅栅下是约1000埃的SiO2，上面有一层约1μm厚的SiO2复盖层。浮空栅极带电后（比如负电荷），在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管通导，表示存1或0。若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不通导，即存0或者1。 在构成存储单元时，需配以MOS管作为地址选择与读/写控制，如图3.16（b）所示。 写入时，地址选中，T2管通，写入数据加在T3管的栅极。写入1时，T3管栅极加高电平，T3管通导，VC与VD之间加25V的高电压。当编程脉冲到来时T4管通导，25V的高电压直接加在待写入的浮空栅MOS管的源极和漏极之间，发生雪崩效应，能量大的电子穿过绝缘层注入浮空栅极中。编程脉冲结束，T4管截止，高电压断开，注入到浮空栅极中的电子被绝缘层包围而被保存下来，即写入了1；若写入0，T3管栅极加低电平，浮空栅MOS管不发生雪崩效应。 改写时，用紫外线照射芯片上面的窗口，使浮空栅极中的电子泄漏掉，然后写入。  1. 电擦察除只读存储器E2PROM E2PROM可在线擦除，然后写入。工作原理与EPROM类似，也是通过浮空栅极中的电荷表示所存入的二进制数据。区别是在漏极的上面再增加一个隧道二极管，从而生成两个浮空栅如图3.17所示。这样，可在外层栅极与漏极之间施加不同极性的电压，以决定电荷进入内层浮空栅，还是从内层浮空栅中逸出。编程/擦除的时间大约为10ms。 3.3.4 电擦除与Flash快闪只读存储器 2. 快闪存储器Flash memory Flash存储器简称为闪存，与E2PROM类似，电擦写型ROM。区别是E2PROM按字节擦写，速度慢，闪存按块擦写，速度快。在结构上，Flash芯片分为串行和并行传输两大类型。前者容量较小，速度慢；后者容量大，速度快，存取时间约为65～170ns。 1. Intel 2764的组成与特点 2764是一种8K×8的EPROM，28个引脚，双列直插式封装，其引脚分布和内部组成如图3.18所示，包括8K×8存储器阵列、X地址译码器、Y地址译码器、I/O控制门电路、输出缓冲器及片选和编程逻辑电路。数据线8位，地址线13位。 3.3.5 只读存储器举例 读出时，行/列地址选中。在I/O控制门的控制下，读出数据经输出缓冲器输出。当 CE为高电平时，芯片未选中，即降低功率使用。最大工作电流75mA，最大静止电流为35mA，编程脉冲宽度50ms，单一+5V电源，工作方式选择如表3.3所示。 表3.3 2764工作方式选择 CE OE PGM VPP VCC 输入/输出 方式 0 0 1 +5V +5V 输出 读出 1 × × +5V +5V 高阻态 静止等待 0 1 负脉冲 +21V +5V 输入 编程 0 0 1 +21V +5V 输出 编程校验 1(×) × ×(1) +21V +5V 高阻态 编程禁止 2. Intel 27512的组成特点 27512是64K×8的EPROM，高集成度，高性能价格比，速度快，单字节数据读取时间小于250ns。有28个引脚，双列直插式封装，引脚分布如图3.19所示。数据线8位，地址线16位，单一+5V电源，最大工作电流100mA，最大静止电流40mA。 3. Int