2011年度4月自考真题物理(工).pptVIP

作业一： P51: 6.铁从20℃加热到80℃，空位数增加多少倍？ 已知：空位形成能为104.6 KJ/mol 根据： 7.在简单立方晶体中，画出正、负刃位错 ⑵.位错线方向反向时，柏氏矢量随之反向。 ⑶. ⑷. 10.f.c.c中位错滑移面为 ， 13.已知Al晶体 ，位错密度为 ，位错全部集中在亚晶呈六边形，相邻亚晶位向差为5o。试估算亚晶界上的位错密度和亚晶粒的平均尺寸。 14.已知 ，若对称倾斜角为 ，求相邻亚晶间位向差。 作业二： P51: ⑵ 指出各段位错线的类型；画出位错环扫出晶体后，晶体外形，滑移方向及滑移量。 9.L型位错如图所示： 11.判断下列位错反应能否进行： ⑵ ⑶ ⑷ 12.f.c.c中 ， 两位错相遇： ⑴ 位错反应能否进行？ 能。因为： ⑵ 写出合成位错的柏氏矢量，并指出其性质。 作业三： P246. 1、拉伸铜单晶，画出（111）表面 的滑移痕迹，求出滑移线间夹角。 铜为f.c.c结构{111}密排面 如图，它们与（111）交线就是 滑移痕迹。 2、铜单晶沿[001]方向拉伸， ，问需要多大的拉力才能使晶体开始塑性变形？ 3、锌单晶拉伸试验数据如下：( ) ⑵ 求m，作m-σs曲线，说明m 对σs的影响。 m↑ σs ↓ 6、低碳钢σs－d关系试验数据如表，说明两者是否符合Hall－Petch公式，试用最小二乘法求其常数。 如图符合Hall－Petch公式 按最小二乘法，应使偏差 最小。 经处理得方程组： 按表计算得： 作业四： P279： 4、固态下无相变的金属及合金，如不重熔，能否改变其晶粒大小？ 答：能。可通过形变－再结晶。重点控制形变量和再结晶温度。 6、为细化纯铝件晶粒，冷变形5％后于650℃退火1h,晶粒反而粗化；变形80％再于650℃退火1h,晶粒仍然粗化。试分析其原因？并制定一合理工艺。 答：根据纯铝再结晶图，上述两工艺条件正好位于粗晶区。前一工艺粗晶由临界变形度引起；后一工艺的粗晶，是由于温度过高引起二次再结晶。合理工艺应选择大变形量，较低的再结晶温度。 如：冷变形80％＋200～400℃退火1h （∵ TK = 150℃） 9、冷拉铜导线在用作架空导线和电灯花导线时，应分别采用什么样的最终热处理工艺？ 答： 架空导线：应采用回复退火工艺，在基本保持加工硬化的条件下，尽量改善其导电性能。 花导线：应采用再结晶退火工艺，使导线具有很好的柔韧性和导电性。 * ?返回 * ?返回 作 业 评 讲 材料科学基础Ⅱ 右旋闭合回路 完整晶体中回路 ⑴.用柏氏回路确定柏氏矢量 y x ⑴.画出 的方向，计算其大小。 ⑵.画出刃、螺位错的位错线方向及指数。 设：位错间距为D，亚晶界边长L， 亚晶界直径d。 则：亚晶界上的位错线密度 D 亚晶 d L D 亚晶 d L 位错面密度： 当θ = 1° b = 0.25 nm 则: D = 14 nm 若θ 10°时, D 1.4 nm 位错相距太近， 不适用。 D A B C τ τ 8.如图位错环： ⑴ 位错环扫出晶体，表面是否形成4b的台阶？ 答：形成一个b的台阶。 因为位错环运动过程中，要么扩大，要么缩小，滑移面上任一点只有一根位错通过。 b A B C D //AB位错线: 右螺 //CD位错线: 左螺 //BC位错线: 正刃 //AD位错线: 负刃 ⑴ 施加怎样的力可使de段位错在滑移面上运动，而ef段位错不动？ D A B C τ τ f d e 在滑移面ABCD上，且平行于b方向施加切应力τ，可使de段位错运动。 由于τ作用面垂直于ef段位错的滑移面，故对ef段位错的滑移力无贡献。 ⑵ 在切应力τ作用下位错如何运动？ 以e点为中心旋转运动， 位错每旋转一周，上下晶体 相对滑动一个b。旋转n周， 晶体表面将留下nb的台阶。 D A B C τ τ f d e 单边的Frank-Read源 结构条件： 能量条件： 满足 满足 可行 ⑴ 结构条件： 能量条件： 满足 不确定 结构条件： 不满足 反应不能进行 结构条件： 能量条件： 满足 不满足 反应不能进行 满足结构条件： 满足能量条件： 为不可动的纯刃型Frank偏位错 （111） 60o 60o 60o （111） [001] 解：如图有4个滑移系m=0，8个滑移系 处于同等地位，分别为： [111