微电子学发展概论试卷-2015.doc

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2018-05-26 发布于浙江
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微电子学发展概论试卷-2015

填空题（每分，共分硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是。当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为?，对于窄沟道器件对VT的影响为。MOSFET本征电容能带、导带、价带、禁带版图验证和检查包括哪些内容导体发光器件的基本原理是什么第 2 页共 4 页第 3 页共 4 页第 1 页共 4 页学院系专业班级姓名学号 (密封线外不要写姓名、学号、班级、密封线内不准答题，违者按零分计) …………………………………………密…………………………封……………………………………线………………………………… 学院系专业班级姓名学号 (密封线外不要写姓名、学号、班级、密封线内不准答题，违者按零分计) …………………………………………密…………………………封……………………………………线………………………………… 　　考试方式：　开卷　太原理工大学　微电子学发展概论　试卷题号一二三四五六七八九总分得分