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新型同步整流控制IC-N3856V 一款新型用于反激变换器同步整流的控制IC-N3856V 在开关电源中提升效率最优秀的技术是同步整流。而反激变换器中能很好地完成此任务的产品不多。本文介绍了一款悬浮式控制反激变换器同步整流又降低输出噪声的控制IC—N3856V。 N3856V是一款新研制成功的低成本，高性能，全新特色的同步整流控制器。它专门用于反激变换器，既能用于DCM又能用于CCM，而且可以将同步整流MOS放在高端，可以有效减少地线上的MOS开关噪声，它采用两种电流检测方法，分别满足DCM和CCM方式的反激变换器。 在CCM模式下，它包括一个时间控制，去调节最大导通占空比，允许设计师确定最佳工作条件。从而达到最好效率，此时外部加入一个RT，一个CT元件即可。在DCM模式下工作时，它包括一个整流检测器用控制同步整流MOS的导通并有效地防止经过上部整流MOS的反向电流，从而损坏器件。其主要特点既适应了定频反激变换，也适应准谐振变频的反激变换器做同步整流，其IC内方框电路如图1。 图1 N3856V的内部等效电路 下面分别描述其在不同条件下的工作。 在DCM模式下，N3856V用检测MOS的电流去控制MOS的开和关IC内有一个电流检测器，在DCM模式下，二次侧绕组的电流流过MOS的源和漏时会从最大值降到0，这使MOS的压降从最大降到0，此压降与内部20mＶ基准电压比较，如果压降低于20mV，即令MOS关断。 对各种MOS应用时，不同的RDS(ON) 会导致不同的压降。IC的BIAS端提供可调节斜率的功能使MOS延迟关断。从而达到最佳效率。BIAS端外接一支电阻到VCC端，用来调整栅驱动斜率，改变电阻值将会得到不同的斜率，更大的电阻值将有锯齿形斜率。MOS的关断会变慢，小阻值电阻将会有更均衡的斜波，MOS关断会变快。考虑基本设置，首先调整输出适应重载，但仍在断续型，改变偏置电阻可使栅驱动波形更倾斜，以便于接上LC槽路的谐振波形。其次，调节输出去减小负载，检查栅驱动波形，已经OK或没OK，减小电阻直到波形正常。 在CCM模式下，电流检测不能直接关断MOS，N3856V提供两个方法在最佳时刻去关断MOS。其一是由RT/CT 控制最大占空比，在低线AC时输入电压及最大负载去调节RT或CT将决定最大占空比并按时关断MOS.其二是用从初级送过来的同步信号去控制AOUT端，将AOUT 端拉低将关闭栅驱动的输出， AOUT端可用于增加栅驱动端的能力，而并联MOS应用，如果需要可经过一支电阻接到VCC。 典型应用电路: 非同步信号型. 在非同步信号模式下，设计低成本的反激电源结构建议设计成DCM模式(在高线输入时)，在低线输入时,CCM中可以有更好的效率。 在此结构中,选择小的公差的元件是必要的，如RT/CT．而频率设置元件RT/CT　是初级侧PWM-IC的。此外，可使Q1,Q２同时开启。 td=toff×T+tdoff SRMOS T=(Rt+Ct+RT+CT) 此实用电路如图２，这是一个具有辅助线圈的非同步信号型电路，辅助绕组设计提供10V~15V的供电电压，它经D1到VCC，但没有电容．在CCM改变RT值CT值，可设置成固定最大占空比的同步整流MOS。而在DCM，电流从５PIN检测出MOS压降，如果低于20mV，IC则关断MOS。 图2 N3856V的典型应用电路 B，同步信号从初级侧送出型，如图３. 此结构适用于较大功率，较高性能的反激式电源．同步信号在MOS　Q７在PWM控制器三角波时开始导通，它需用一个小变压器从初级到次级．当在CCM之下，二次侧MOS 由同步信号（初级）关断，当在DCM时，由电流检测端５PIN,检测MOS源漏压降给出． 图3 采用同步信号驱动的应用电路 N3856V的引脚排列如下： ： 图4 N3856的外部引脚排列 图5 N3856V的频率设置电路