硫吸附6h-sulfur adsorption 6h.docxVIP

独创性声明本人所呈交的学位论文是在导师指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知，除特别加以标注的地方外，论文中不包含其他人的研究成果。与我一向工作的同志对本文的研究工作和成果的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并已致谢。本论文及其相关资料若有不实之处，由本人承担一切相关责任。论文作者签名:才读拗加5年4月7日学位论文使用授权本人作为学位论文作者了解并愿意湛守学校有关保留、使用学位论文的规定，即:在导师指导下创作完成的学位论文的知识产权归西安理工大学所有，本人今后在使用或发表该论文涉及的研究内容时，会注明西安理工大学。西安理工大学拥有学位论文的如下使用权，包括:学校可以保存学位论文;可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文;可以查阅或借阅。本人授权西安理工大学对学位论文全部内容编入公开的数据库进行检索。本学位论文全部或部分内容的公布(包括刊登)授权西安理工大学研究生院办理。经过学校保密办公室确定密级的涉密学位论文，按照相关保密规定执行;需要进行技术保密的学位论文，按照《西安理工大学学位论文技术保密申请表》内容迸行保密(附《西安理工大学学位论文技术保密申请表})。保密的学位论文在解密后，运用本授权。论文作者签名:才缓叶导师签名:走今号t/j年4月7日论文题目：硫吸附6H-SiC的表面稳定性分析学科：集成电路工程作者：李碧珊签名：导师：杨莺副教授签名：高勇高工签名：摘要由于碳化硅功率器件在表面处发生化学键断裂，为禁带中引入大量非本征能态从而对材料的化学、电学及光学特性造成很大影响，极大地降低器件性能。为解决这一问题，本课题组基于Valence-Mending概念，提出对碳化硅器件表面进行硫钝化处理，最终达到改善器件稳定性的目标。尽管国内外涉及碳化硅表面结构的研究工作已经开展多年并取得了部分成果，但有关硫钝化的研究工作却鲜有报道，特别是针对碳化硅表面钝化的微观原理的讨论更为少见。因此，为进一步加深对碳化硅表面结构的了解并探索硫钝化对材料表面稳定性的影响，本课题以现有半导体硫钝化技术为基础，针对碳化硅功率器件通过第一性原理计算研究硫钝化6H-SiC后的表面稳定性问题。通过对比钝化前后表面能、表面Millikan布居、成键机理及表面态密度，研究硫钝化对表面的影响，探索硫钝化对器件特性的改善情况。并计算不同极性表面吸附硫原子的差异，分析两种硫原子初始吸附位对钝化体系的影响。得到以下研究成果：(1).硫钝化后的6H-SiC超晶胞表面能量下降，表面态减少，表面悬挂键得到饱和。这表明经过理论计算验证，本课题所提出的硫钝化技术在SiC表面的应用具有可行性。(2).对九种覆盖率下的6H-SiC超晶胞表面钝化模型进行了第一性原理计算，并对比分析6H-SiC不同极性端面的表面能、Millikan布居及表面态密度。研究发现硅端面的稳定性更高，悬挂键饱和程度比碳端面的更高，说明硅端面与硫的匹配性更好，硫钝化后的硅端面具有更为优良的光电特性。(3).在不同的初始吸附位中，桥位吸附相对于顶位吸附在硅端面的能量更低。在碳端面则恰恰相反，初始吸附顶位的体系稳定性更高。这是因为硅端面表面电子离域性的增强导致初始吸附位对体系的影响非常微弱，另外碳端面的表面应力更大，定域性更强，使得体系受到初始吸附位的影响更大。经过初步计算分析，得到最佳覆盖率约为4/9~3/4ML。关键词：第一性原理、硫钝化、碳化硅、悬挂键本课题为国家自然科学基金资助项目（No51177134）陕西省教育厅基金项目（No.00K1310）IIITitle:EFFECTOFSULFURPASSIVATIONON6H-SICSURFACESTABILITYMajor:IntegratedCircuitEngineeringCandidate:BishanLiSignature:Supervisor:AssociateProf.YingYangSignature:SeniorEngineerYongGaoSignature:AbstractBecauseofthechemicalbondbreakinginSiCPowerDevicessurface,alargenumberofextrinsicstatesappearinbandgapwhichcancauseagreatimpactonmaterialschemical,electricalandopticalpropertiesandgreatlydecreaseofdeviceperformance.Inordertosolvethisproblem,ourresearchgroupsproposetothesulfurpassivationonsiliconcarbidedevicessurfacebasedontheVale