等离子体与壁相互作用讲座.pptVIP

磁约束装置等离子体与壁的相互作用 李建刚 2005/03 内容 基本概念和图像； 基本问题； 壁处理； 石墨材料； 目前该领域的前沿问题 稳态运行下的重要问题 下一代装置的新问题。 面对等离子体材料和等离子体间的相互作用非常复杂 第一是器壁（或更一般的面向等离子体物质材料）中放出的各种粒子（包括所吸附的工作气体、杂质气体和组成材料本身的元素）进入等离子体约束区后对等离子体约束特性造成的影响； 第二是物质材料本身受等离子体中粒子长期作用后的损伤。 Plasma configuration and internal structure 基本图像及过程 边缘等离子体和其周围壁的相互作用将对等离子体芯部产生重要的影响 边缘等离子体是热绝缘层，同时控制杂质进入到等离子体芯部； 壁受很强的热负荷以及来自芯部粒子的轰击，材料腐蚀及杂质产生； 氢的再循环过程的控制及对等离子体密度控制的影响； 在热和粒子作用下材料性能的稳定及使用安全性/微观结构的变化 中子辐照后材料活化及变性 等离子体与壁相互作用中的基本问题 壁处理：除去杂质（Z2，特别是氧）、降底氢的再循环。 面对等离子体的材料低Z（主要是碳、铍）材料、高Z材料：W、Mo。 Erosion and redeposition; 氚及灰的滞留和去除； 中子辐照 壁处理的目的 1、降底杂质，特别是氧（重杂质含量小于0.02%，轻杂质控制在2-3%以下） 2、控制再循环 3、屏蔽金属（来自第一壁）杂质 4、去除C/D复合涂层 Why O must be reduced?Higher density limit due to lower O content 氧杂质问题 在石墨限制器中，氧起着特殊的作用。当高能氧离子先滞留在植入区，直到每个碳原子+约0.25个氧原子，而后它以CO和CO2的形态再发射，其产额接近1。 这些分子不都是以热能的形式释放，而显示有一约0.25eV的快成份。在主等离子体中有较高的穿透几率，在吸解和电离后，CO和CO2成为等离子体碳杂质和氧杂质源。 氧离子轰击碳形成CO和CO2差不多为1的产额及其挥发性意味着：在碳壁装置中氧以接近于1的再循环系数再循环。 Why hydrogen recycling must be reducedhigher H factor due to lower recycling 石墨中因多孔而吸附的H2和H2O，CO和CO2气体以及石墨中因H粒子的化学溅射而产生的挥发性CHx等参与再循环，使得燃料粒子的再循环有可能大于1 壁处理的方法 烘烤：100-350C，去除装置中的水。 GDC: H2(He),0.2-2kV, 1-5A, E=eV,去除装置中的去氧、碳等轻杂质。 TDC: 高频率的短脉冲等离子体放电，去除装置中的去氧、碳等轻杂质。 射频清洗：在有磁场的情况下，利用离子回旋共振产生等离子体，去除装置中的去氧、碳等轻杂质。 Plasma production Resonant lays inside VV Enough E?? Suitable filling pressure Particle Removing 面对等离子体材料的侯选材料及其优缺点 聚变装置用石墨材料研究进展 到80年代中期许多托卡马克装置在运行时都采用石墨限制器或偏滤器板 与此同时，实验室中针对石墨材料的测试和模拟开始广泛进行，旨在阐明石墨与氢等离子体的化学反应 炭的化学腐蚀和RES行为； 中子辐照下炭材料的一些性能和结构变化； 炭与氢的同位素的共沉积行为； 目前炭材料仍然是世界范围内大型托卡马克的主要面对等离子体材料 除了作为限制器和偏滤器，炭材料还在扩大其使用范围，如覆盖整个真空壁 象TFTR，DIII-D，JT-60U，Tore Supra，ASDEX-U（现在在发展高Z的W）等采用全炭壁。 石墨的化学溅射 炭材料的化学腐蚀行为 在炭材料表面通常存在一些不饱和的炭原子，它们没有处于石墨晶体六角网状体系中，而是处在炭网格的端面处，我们通常称之为活性点部位 这些活性点部位通常容易和轰击的H+形成炭氢化合物，这些炭氢化合物与炭材料的结合能较低，容易被溅射出来或热脱附出来，形成化学溅射 化学溅射和轰击粒子的能量，粒子束密度，材料的表面温度，材料本身的性质如晶体结构等有很大关系，并受到材料中存在杂质的影响； 炭材料的晶体结构越完整，活性点部位的数量越少，在低温下的化学溅射产额就会降低，因为低温下的主要产物是甲烷基，CH3的溅射域值很低，大约为2eV。 炭材料的化学腐蚀行为 随温度升高至400K，炭材料的热化学腐蚀开始变得明显，此时的主要产物是CH4，还有一些大分子；CH4分子在高温下获得能量后从炭材料中脱出来。 随温度进一步升高至600K