碳纳米管在水平方向上排列的研究进展.doc

——————————————————————————————————————————————— 碳纳米管在水平方向上排列的研究进展 王　林，杨丹娜，李　赛 （）四川大学化学工程学院，成都６１００６５ ）摘要　　综述了近几年来碳纳米管（在水平方向上的定向生长以及后合成排列Ｃ如机ＣＮＴｓＮＴｓ的各种方法，（械拉伸法、磁场法、法、电场法、流体法等，系统分析和比较了各种方法的优缺点，同时展望了ＬａｎｍｕｉｒｌｏｄｅｔｔＬＢ）－Ｂｇｇ该领域的研究和应用前景。 ）关键词　　碳纳米管（ＣＮＴｓ　水平排列　集成电路 ＰｒｏｒｅｓｓｏｆＣＮＴｓＡｓｓｅｍｂｌｉｎＨｏｒｉｚｏｎｔａｌＤｉｒｅｃｔｉｏｎ 　　ｇｙ　 ，ＷＡＮＧＬｉｎ，ＹＡＮＧＤａｎｎａＬＩＳａｉ （，，）ＳｃｈｏｏｌｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｉｎｅｅｒｉｎＳｉｃｈｕａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔＣｈｅｎｄｕ６１００６５ 　　ｇｇｙｇ ｒｏｗｔｈｏｓｔＡｂｓｔｒａｃｔｈｅｏｆａｌｉｎｅｄＣＮＴｓｉｎｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｎｄｓｎｔｈｅｔｉｃａｒｏａｃｈｅｓｔｏＣＮＴｓａｓｓｅｍｂｌ　　Ｔ － 　ｇｐｇｙｐｐｙ，，，（，ａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄｓｕｃｈａｓｍｅｃｈａｎｉｃａｌｓｔｒｅｔｃｈｉｎｍｅｔｈｏｄｍａｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄｍｅｔｈｏｄＬａｎｍｕｉｒｌｏｄｅｔｔＬＢ）ｔｅｃｈｎｉｕｅｅｌｅｃ －Ｂ－ｇｇｇｇｑ　，ｔｒｉｃｆｉｅｌｄａｎｄｆｌｕｉｄｉｃｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅａｄｖａｎｔａｅｓａｎｄｄｉｓａｄｖａｎｔａｅｓｏｆｅａｃｈｍｅｔｈｏｄａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄａｎｄｔｈｅｄｅｖｅｌｏｍｅｎｔａｎｄ ｇｇｐａｌｉｃａｔｉｏｎｏｆａｌｉｎｅｄＣＮＴｓａｒｅｒｏｓｅｃｔｅｄ． 　　ｐｐｇｐｐ ，，Ｋｅｗｏｒｄｓａｒｂｏｎｎａｎｏｔｕｂｅｓａｒａｌｌｅｌａｌｉｎｍｅｎｔｉｎｔｅｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ　　ｃ ｐｇｇｙ　 ［］ ）９９１年Ｉｉｉｍａ博士１发现多壁碳纳米管（ＭＷＮＴｓ　　???１ｊ 以来，其以奇特的电性能、优异的导热性能、独特的光学性质 ［］ 上的定向生长及水平方向上的后合成排列。Ｋｒｏｔｏ等８发现 即利用激光刻蚀技术在了一种制备水平排列ＣＮＴｓ的方法，，硅基质上放置钴催化剂高温分解２４６Ｓ－氨基－－二氯－－三嗪， ［２］钴催化剂可以优化Ｃ的研究进ＮＴｓ的取向排列。Ｌｉ等９－１ 以及很强的综合力学性能迅速成为国际研究的热点。１９９３ ［］［］ 年Ｉｉｉｍａ２和ＩＢＭ公司的Ｄ．Ｂｅｔｈｕｎｅ３分别将Ｆｅ和Ｃｏ混ｊ ）。各自独立合成了单壁碳纳米管（在石墨电极中，ＳＷＮＴｓ ［］２００３年日本科学家ＹｏｉｃｈｉＭｕｒａｋａｍｉ等４低温催化分解无　 。ＳＷＮＴ水乙醇制备出据称为最纯净的ＳＷＮＴｓｓ的发现以 一步证实了催化剂的密度和结构可影响ＣＮＴｓ的定向生长。 实验证明，在化学气相沉积法（系统中引入电场可ＣＶＤ） ［３］ 显著促进Ｃ指出，电场可以增加ＮＴｓ的水平生长。Ｇｕｏ等１ 及高质量ＣＮＴｓ的制备大大推动了ＣＮＴｓ的性能与应用研究工作的进展。根据理论预测和实验验证，ＣＮＴｓ因具有高 ５］ ，比强度、高长径比，可以应用于复合材料的增强体［加之其 一维或二维上ＣＮＴｓ的定向生长。电场诱导偶极矩源于一条长链Ｃ它导致扭矩和ＣＮＴｓ的高度各向异性极化率，ＮＴｓ的定向排列，并可以通过热波动或气流防止ＣＮＴｓ的取向随 ［４］ 也报道了通过乙烯和甲烷的Ｃ机化。Ｊｏｓｅｌｅｖｉｃｈ等１ＶＤ技 良好的导电性使它可以用于原子力显微镜及扫描隧道显微 ６］ ，也可以用于制造二极管、三极管、单分子开关、镜的探针［ 。术在基质表面电场诱导生长ＳＷＮＴｓ ［５，１６］ 的研究表明，通过控制ＣＬｉｕ等１ＶＤ系统中气流的方 ，快速加热含铁和向和速率可以直接制备取向排列的ＣＮＴｓ 记忆单元以及分子电路的导线。利用光电转换特性也可以廉价、高效的太阳能电池。Ｃ制造轻巧、ＮＴｓ较强的电子发射特性可以用于制造大屏幕、超薄、高清晰度、高亮度、节能、长寿命并可弯曲的显示屏 ［７］ 钴催化剂的基质是合成超长和整齐排列的ＣＮＴｓ的先决条 ［７］ 件。采用类似的技术，利用ＣＯ′Ｂｒｉｅｎ等１ｏ薄膜作催化剂、 ，但是Ｃ杂乱排ＮＴｓ的难分散、 因此列很大程度上影响了以上各种技术的深入发展和完善，实现Ｃ也成