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场效应管AP72T02GH
AP72T02GH/J
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 25V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9m Ω
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with
the best combination of fast switching, ruggedized device design,
low on-resistance and cost-effectiveness. G D
S TO-252(H)
The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP72T02GJ)
are available for low-profile applications.
G
D
S TO-251(J)
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter Rating Units
VDS Drain-Source Voltage 25 V
VGS Gate-Source Voltage ± 20 V
I @T =25℃ Continuous Drain Current, VGS @ 10V
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