(材料物理课件）Chap6介电性能知识讲稿.pptVIP

由德拜公式，将?r“代入上式 在高频电压下，??1, 在低频电压下，??1, ?与?2成正比。 εr，tgδ，p与ω的关系 6.2.5 介质损耗与频率的关系 (1) 当外加电场频率很低，即??0, 介质的各种极化都能跟得上外加电场的变化，此时不存在极化损耗，介电常数达到最大值。 在 ?m下，损耗角正切值达最大值，即可得 （3）当?很高时(??1)， ?r? ??，介电常数仅由位移极化决定， ?r趋于最小值。tg?随?升高而减小 (2) 当外加电场频率升高时(??1) ，松弛极化在某一频率开始跟不上外电场的变化，松弛极化对介电常数的贡献减少，因而?r随?升高而减小，同时P增大。 不同带穿电导的介质中的tg?与?的关系 tg?的最大值主要由松弛过程决定，如果介质电导显著变大，则tg?的最大值变得平坦，最后在很大的电导下tg?没有最大值。 εr、tgδ、P与T的关系 6.2.6 介质损耗与温度的关系 当温度很低时，?较大，由德拜关系可知，?r较小，tg?也较小。此时，由于?2?21, 由德拜关系可得 在此温度范围内，随温度上升，?减小，因而?r上升，tg?上升，Pw上升。 (2) 当温度较高时，?较小， 此时?2?21因而 在此温度范围内，随温度上升，?减小，tg?减小。这时电导上升并不明显，所以Pw主要决定于极化过程， Pw 也随温度上升而减小。由此看出，在某一温度Tm下， Pw和tg?有极大值。 （3）当温度继续升高，达到很大值时，离子热运动能量很大，离子在电场作用下的定向迁移受到热运动的阻碍，因而极化减弱。?r下降。此时电导损耗剧烈上升，tg?也随温度上升而上升。 对于凝聚态绝缘体，通常所观察到的击穿电场范围约为105-5?106V?cm-1。击穿不是电场对原子或分子的直接作用所导致。电击穿是一种集体现象。能量通过其它粒子传送到被击穿的组分中的原子或分子上。 电介质的击穿 一般外电场不太强时，电介质只被极化，不影响其绝缘性能。当其处在很强的外电场中时，电介质分子的正负电荷中心被拉开，甚至脱离约束而成为自由电荷，电介质变为导电材料。当施加在电介质上的电场增大到一定值时，使电介质失去绝缘性的现象称为击穿。对应击穿的这个临界电场强度称为介电强度，或称为击穿电场强度。 6.3 介电强度 6.3.1 介质在电场中的破坏 热击穿 电击穿 局部放电击穿 固体电介质击穿场强 与电压作用时间的关系 6.3.2 击穿类型 （一）热击穿 由于电介质内部热的不稳定过程所造成的。 影响因素 与材料的性能有关 绝缘结构（电极的配置与散热条件）及电压种类、环境温度等有关 因此热击穿强度不能看作是电介质材料的本征特性参数 （二）电击穿 碰撞电离理论： 在强电场作用下，固体导带中可能因冷或热发射存在一些电子，这些电子被加速，获得动能；高速电子与晶格振动相互作用，把能量传递给晶格。上述两个过程在一定温度和场强下平衡时，固体介质有稳定的电导；当电子从电场中获得能量大于传递给晶格振动能量时，电子动能越来越大；大到一定值，电子与晶格振动的相互作用导致电离产生新电子，使电子数目迅速增加，电导进入不稳定状态，发生击穿。 1. 本征电击穿理论： 这种击穿与介质中的自由电子有关，不考虑晶格的破坏，室温下即可发生，发生时间很短（10-8-10-7s）。自由电子的来源于：（1）杂质或缺陷能级；（2）价带。 2. “雪崩”电击穿理论： 这种理论则以碰撞电离后自由电子数倍增到一定数值足以破坏介质绝缘态的晶体结构来作为电击穿判据。 （三）局部放电-不均匀电介质的击穿 击穿往往是从耐电强度低的介质中开始，表现为局部放电，然后或快或慢地随时间发展至固体介质劣化损伤逐步扩大，致使介质击穿。 正压电效应：在极性晶体上施加压力、张力、切向力时，则发生与应力成比例的介质极化，同时在晶体两端将出现正负电荷。 逆压电效应：在极性晶体上施加电场引起极化，则将产生与电场强度成比例的变形或机械应力。 正压电效应的电位移D与施加的应力T有如下关系： D=dT， d:压电常数，单位C/N。 逆压电效应的应变S与施加的电场强度E有如下关系： S=dE， d:压电常数 注：正、逆压电效应的压电常数一样。 6.4 压电性 6.4.1 压电效应 压电效应与晶体的对称性有关，其本质是对晶体施加压力时，改变了晶体内的电极化，而此种电极化只能在不具有对称中心的晶体内才可能发生。 + + - - - - + + 结构含有正负离子 - ± 含有对称中心的结构 未加应力与加应力正负电荷中心不分开，不产生极化 2. 压电材料的性能 （1）谐振频率fr和反谐振频率fa ： A）若压电振子的固有振动频率