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大功率LED热阻测量与结构分析 　　文章编号：1006-6268（2008）08-0025-05 　　摘要：热阻的精确测量与器件结构分析是设计具有优良散热性能的大功率LED的前提。本文研究了大功率LED的光功率、环境温度和工作电流对热阻的影响规律，论述了积分式结构函数和微分式结构函数的推导过程及其主要性质，提出了大功率LED热阻的精确测量方法，并利用结构函数分析及辨识大功率LED器件的内部结构、尺寸、材料、制造缺陷和装配质量。 　　关键词：大功率发光二极管；热阻；结构函数 　　中图分类号：TN06文献标识码：A 　　 　　Thermal Resistance Measurement and Structure Identification for High-Power LED 　　ZHUANG Peng 　　(Xiamen Products Quality Inspection Institute, Fujian Xiamen 361004, China) 　　Abstract: The precise measurement of thermal resistance and structure identification are elements in designing high-power LED with good thermal conductivity. By studying the relationship between the thermal resistance and the optical power, ambient temperature as well as drive current of high-power LED, the generation of cumulative and differential structure functions and their main characteristics were discussed, and the precise method of measuring thermal resistance for high-power LED was proposed. The inner-construction details of high-power LED, such as dimension, material, manufacture defects and assembly quality, were also analyzed and identified by the structure functions. 　　Keywords:high-power LED; thermal resistance; structure function 　　 　　引言 　　 　　半导体照明光源具有节能、环保、安全、易驱动、体积小、寿命长、色彩丰富、可靠性高等优点，经过40多年的发展，发光效率和功率得到了大幅度的提高，1996年白光LED的研制成功使半导体照明光源备受瞩目，目前已被公认为是21世纪最有可能进入普通照明领域的新型固态光源[1]。但是LED器件要完全取代传统的白炽灯和荧光灯，其总光通量必须大幅度提高。光通量的提高一般采用增加集成度、加大电流密度、使用大尺寸芯片等方法来实现[2]，这些方法会增加LED的功率密度，如果散热系统设计不完善，PN结至环境的总热阻过大，LED芯片的结温就会过高，这将直接影响LED器件的性能，导致发光效率降低、出射光红移、寿命缩短等[3]，可见合理设计???热系统对提高LED的性能十分重要。 　　本文运用半导体器件热性能的动态测量原理[4]，通过测量大功率LED的热瞬态响应，研究LED热阻的精确测量方法，总结热阻与环境温度和工作电流的关系，利用结构函数分析LED器件热传导路径上的材料特性、尺寸和缺陷，为设计和制造具有优良散热性能的大功率LED及其应用系统提供科学的指导。 　　 　　1热阻精确测量与器件结构分析原理 　　 　　1.1电学参数法 　　目前国内外测量LED热学特性的方法主要有红外热成像法、光谱法、光功率法、管脚温度法和电学参数法。采用电学参数法测量时，LED的PN结既是被测对象，又是温度传感器，消除了因附加温度传感器而引入的测量误差，因此测量精度高、速度快，是目前国际上通用的标准方法[5]。 　　热阻是导热介质两端的温度差与通过热流功率的比值，LED的热阻定义为： 　　 　　式中TJ0为待测LED未施加加热功率前的初始结温，在热平衡状态下即为指定参考点的温度TX。 　　由式（1）、（2）、（3）可得待测LED热阻的另一种表示方式： 　　 　　按