材料分析方法复习专用课件PPT.ppt

时间：待定 地点：待定;一、判断题（对的打“√”，错的打“×” ，每小题1分，共10分） 二、填空题 (每空1分，共10分) 三、名词解释（共4小题，每小题6分，共24分） 四、简答题（共5小题，共56分）;第一章 X射线物理学基础 第二章 X射线衍射方向 第三章 X射线衍射强度 第四章 多晶体分析方法 第五章 物相分析及点阵参数精确测定 第六章 宏观残余应力的测定 第七章 X射线光电子能谱 第八章 电子光学基础 第九章 透射电子显微镜 第十章 扫描电子显微镜 第十一章 电子探针显微分析;第一章 X射线物理学基础;第一节 X射线的性质;第二节 X射线的产生及X射线谱;第三节 X射线与物质相互作用; 光电效应; 俄歇（Auger）效应;如果以ω表示荧光产额，A表示俄歇电子的几率，则A和ω之间的关系应为：;第二章 X射线衍射方向;不同晶面的反射线若要加强，必要条件是：相邻晶面反射线的波程差为波长的整数倍。;从布拉格方程可以看出，在波长一定的情况下，衍射线的方向(?)是晶面间距d的函数。如果将各晶系的d值代入布拉格方程，可得不同晶系如下公式：;四、晶体衍射花样的特点;衍射方法;第三章 X射线衍射强度;散射因数 f 与原子序数Z有关，Z 越大，f 越大。故：重原子对X射线散射的能力比轻原子要强。 ;第五节 多晶体衍射的积分强度公式;第四章 多晶体分析方法;或针孔法;第五章 物相分析及点阵参数精确测定 ; 任何一种物质，都具有特定的结构参数（晶体结构、晶胞大小，晶胞中原子数目以及原子位置）。他们在特定波长的X射线照射下，会呈现该物质特有的多晶体衍射花样。 因此： 多晶体衍射花样 物质结构;第二节 定量分析;对立方晶系物质：;点阵参数的精度主要取决于sin? 的误差，而不是? 的误差。;3、X射线衍射法测点阵参数的步骤;例：求金属铝的晶格常数：以下是用衍射仪法测得的X射线衍射数据（采用CuKα辐射, λkα1=1.5405 ?）;5、点阵参数精确测定的应用;第四节 非晶态物质及其晶化过程的X射线衍射分析;第六章 宏观残余应力的测定;1) 第Ⅰ类内应力(?Ⅰ) 指在物体宏观体积内存在并平衡的内应力。当其被释??后，物体的宏观体积或形状将会变化。 2) 第Ⅱ类内应力(? Ⅱ) 指在数个晶粒范围内存在并平衡的内应力。这种平衡被破坏时也会出现尺寸变化。 3) 第Ⅲ类内应力(? Ⅲ) 指在若干个原子范围内存在并平衡的内应力。如各种晶体缺陷(空位、间隙原子、位错等)，这种平衡被破坏时不会产生尺寸的变化。;1) 第Ⅰ类内应力又称宏观应力或残余应力，其衍射效应使衍射线位移。 2) 第Ⅱ类内应力又称微观应力。其衍射效应主要引起衍射线线形变化。 3) 第Ⅲ类内应力又称晶格畸变应力或超微观应力等，其衍射效应使衍射强度降低。;第二节 X射线宏观应力测定的基本原理;(θ0为无应力时的衍射角); 由前述的测定原理可知，欲测定试样表面某确定方向的 残余应力?? = KM，需按如下步骤进行： 1) 在测定方向平面内至少测出两个不同?方位的衍射角2??? ； 2) 求出2??? - sin2?直线的斜率M； 3) 根据测试条件取应力常数K； 4) 将M和K代入?? = KM，计算残余应力?? 。;第三篇 其他显微结构分析方法;第十二章 原子光谱及分子光谱分析;一、光分析法及其特点;第二节 原子光谱分析 第三节 分子光谱分析; (1)原子发射光谱分析 (2)原子吸收光谱分析;原子发射光谱分析法是以火焰、电弧、等离子炬等作为光源，使气态原子的外层电子受激发射出特征光谱进行定性、定量分析的方法。;① 多元素同时检测：各元素同时发射各自的特征光谱； ② 分析速度快：试样不需处理，同时对几十种元素进行定量分析； ③ 选择性好：各元素具有不同的特征光谱(铌和钽、锆和铪、稀土元素)； ④ 灵敏度高：10-0.1?g/g(?g/mL); ICP-AES可达ng/mL级; ⑤ 准确度高：相对误差一般5-10%，ICP可达1%以下; ⑥ 试样用量较少：毫克级，适用于微量样品和痕量无机物组分分析； ⑦ ICP-AES性能优越，线性范围宽：4~6个数量级，可测高、中、低 不同含量试样。;AES仪器由光源、单色系统、检测系统三部分组成。;3、定性定量分析方法;? ;二、原子吸收光谱分析;(1) 灵敏度高，检出限低：10-10～10-14 g； (2) 准确度高：相对误差1%～5%； (3) 选择性好：一般情况下共存元素不干扰； (4) 应用广泛：可测定70多种(金属