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第一章 工艺和器件发展概述 1947年第一只具有放大作用的点接触晶体管问世，与电子管相比具有很多优点，引起人们广泛注意，在随后的十几年时间相继发明了各式各样晶体管(合金管、合金扩散管、台面管等)。1960年硅平面工艺和外延技术的出现，使半导器件的制造工艺获得重大突破。它为集成电路的制造开拓了广阔的途径，促进了半导体器件进一步向微型化、低功耗和高可靠性方向发展。集成度由SSI、MSI、LSI、VLSI步入了ULSI时代。 1957年第一只SCR问世以来功率器件也取得了长足的进步，相继推出了GTO(可关断晶闸管)TRIAC(双向晶闸管)和GTR(达林顿功率晶体管)这些都是双极型器件，它们共同优点是功率容量大，导通电阻小，缺点是存在少子贮存效应，开关速度低，电流驱动，驱动功率大，不易控制，七十年末由IR和GE公司发明了单极型功率器件功率MOSFET，立即受到制造厂和用户的重视。三年后西方15家大公司均掌握了功率MOSFET生产技术(VDMOS)，1983年诞生了IGBT双极型器件。半导体器件种类繁多，工艺有别，本次培训主要以外延平面工艺为主，介绍以下内容：单晶硅拉制及衬底制备、外延工艺、氧化工艺、扩散与离子注入工艺、光刻工艺、蒸发工艺、芯片组装工艺。 一、锗合金扩散晶体管制造工艺流程简介 合金扩散晶体管是五十年代中期发展起来的一种高频管。 工艺流程：切片→研磨、抛光、腐蚀→扩散(Sb扩)→装发射极(In合金)→真空烧结(500～550℃)→装基极及支架→烧结(H2)→点焊管座→拉丝→涂保护油→台面腐蚀→去油清洗→管芯腐蚀→烘干→涂胶→封管 二、硅外延平面晶体管制造工艺流程(NPN型) 三、集成电路制造工艺流程 原始硅片 P型(衬底) ρ：8－13Ω·cm 晶面(111) 比平面晶体管多出工艺隐埋(埋层)扩散，隔离扩散。 四、肖特基二极管芯工艺 工艺 势垒金属 结温 VF IR VR 标准工艺 Mo-Si化合物 150℃ 低 适中 ≤60V 830工艺 Pd-Si化合物+Mo 175℃ 高 低 ≤200V Cr Cr-Si化合物+Mo 125℃ 很低 高 ≤45V V V-Si化合物 100℃ 极低 很高 ≤45V 管芯工艺流程见附图 五、IGBT工艺流程 IGBT、MOSFET芯片结构详见附图 第二章 单晶拉制与衬底制备 半导体单晶是制造半导体器件的基础材料，它的质量好坏直接影响到半导体器件的性能。单晶材料：Si、Ge、GaAs等。50年前后，拉制出锗单晶，不久又制得了硅单晶 。硅是自然界中蕴含量最丰富的元素之一，约占地壳重量四分之一，仅次于氧。由于现代半导体器件和集成电路技术的发展，硅已成为人类迄今研究最深入，了解最清楚的物质。现在人类提取的最纯的材料是硅，人类制取的最大单晶也是硅。 半导体单晶硅是由多晶硅材料经过提纯，掺杂和拉制等工序而制得的。但是，单晶硅材料还不能直接用来制造半导体器件，还要经过切片、研磨、倒角、腐蚀和抛光等工序的加工，以获得符合一定标准(厚度、晶向、平整度、平行度和损伤层)的单晶薄片，才可以供外延和管芯制造使用。 第一节 多晶硅制备和提纯 多晶硅的晶格原子是杂乱无章排列，不能用于制造器件 一、多晶硅制备 三种制取方法： 1、SiCl4氢还原法 Si+2Cl2→SiCl4(2-1图), SiCl+ 2H2→Si+4HCl 2、SiHCl3氢还原法 Si+3HCl=SiHCl3+H2↑(250～300℃) SiHCl3+H2=Si+3HCl(900～1100℃)↑ 3、硅烧热解法 SiH4=Si+2H2↑(800～1000℃) 二、多晶硅提纯 区域提纯法区熔法，它是根据物质的分凝现象来进行提纯的，杂质浓度在固相和液相分布不同由分凝系数决定(Ko) Ko=Cs/Cc Cs－－固液相平衡时，固体中的杂质浓度。 Cc－－固液相平衡时，液相中的杂质浓度。 Ko＞1，杂质留在头部，Ko＜1，杂质被赶往尾部，多次区域提纯后，切去单晶棒头和尾，中间留下为高纯多晶材料。提纯后对多晶硅进行检测。看高纯多晶硅颜色有无氧化现象，测纯度，测拉制的单晶电阻率。 第二节 单晶硅拉制 直拉法和悬浮区熔法两种 1、液相中生