第三章探测器3.pptVIP

温度特性 开路电压具有负温度系数，即随着温度的升高UOC值反而减小； 短路电流具有正温度系数，即随着温度的升高ISC增大。 第31页/共58页 符号 连接电路 等效电路 4. 基本电路 U=ILRL 自偏置电路（负载上的压降作为光电池的正向偏压） 条件：光电池的 内阻RDRL 第32页/共58页 零伏偏置电路（负载为零，故无自给正向偏压） 短路工作情况：短路电流与照度成线性关系。 电路见P91：图3.40 例：已知光电池2CR21在入射照度E1=300 lx时，开路电压Uoc1=310mV。求入射照度E2=400 lx时的开路电压Uoc2=？ 解：Ip=SI?1 I0时， 室温时 ， 第33页/共58页 太阳能变换电路 电路见P92：图3.41 例：假设人造卫星有一个12V的蓄电池提供0.5A的连续电流,由太阳能电池2CR给蓄电池充电。如果2CR每天平均有12小时受到太阳照射，辐照度为125mW/cm2，在最大输出功率时，每个太阳能电池输出电压为0.40V，输出电流为50mA。求需要多少个太阳能电池串、并联？ …… …… …… 蓄电池 用电设备 第34页/共58页 解： 串联起来的太阳能电池数目： （个） 24小时内蓄电池提供的电力 光照期间12h内太阳能电池提供的电流 并联的太阳能电池数目： （个） 所需太阳能电池总数： （个） …… …… …… 蓄电池 用电设备 第35页/共58页 光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结,利用光生伏特效应制成。 二、光电二极管 在无光照时，若给PN结加上一个适当的反向电压，则反向电压加强了内建电场，使PN结空间电荷区拉宽，势垒增大； 当被光照时，在结区产生的光生载流子被加强了的内建电场拉开，光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，于是形成了以少数载流子漂移运动为主的光电流。 Ip E反 E内 第36页/共58页 与普通二极管相比: 共同点：一个PN结，单向导电性 不同点： （1）受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅 （2）表面有防反射的SiO2保护层 （3）外加负偏压 第37页/共58页 与光电池相比： 共同点：均为一个PN结，利用光生伏特效 应， SiO2保护膜 不同点： （1）光敏面面积比光电池的小，因此光电流比光电池的小，一般为数微安到数十微安。 （2）制作衬底材料的掺杂浓度：光电池较高—1016~1019原子数/cm3，硅光电二极管偏低—1012~1013原子数/cm3 。 （3）光电池的电阻率低（0.1~0.01?/cm),而硅光电二极管的电阻率较高，为1000 ?/cm （4）光电池在零偏压下工作，光电二极管更常在反偏压下工作。 第38页/共58页 分类 按材料分：光电二极管有硅、砷化稼、锑化锢、铈化铅光电二极管等许多种。 按结特性：PN结（扩散层、耗尽层）、PIN结 、异质结、肖特基结 按结构分，也有同质结与异质结之分。其中最典型的还是同质结硅光电二极管。 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。 2CU系列以N-Si为衬底， 2DU系列以P-Si为衬底。 第39页/共58页 结构 2DU管加环极的目的是为了减少暗电流和噪声。 用高阻N（P）型硅作为基片，其电阻率约为1K??cm，然后在基片表面进行P掺杂（N掺杂：用磷扩散）形成NP结构。P（N）区扩散得很浅约为1?m左右，而空间电荷区较宽，故保证了大部分光子入射到耗尽层内。在光敏面上涂上一层硅油保护膜，既可保护光敏面又可增加对光的吸收率。 Ip E反 E内 第40页/共58页 为了减小暗电流，设置一个N+-Si的环把受光面（N-Si）包围起来，并从N+-Si环上引出一条引线（环极），使它接到比前极电位更高的电位上，为表面漏电子流提供一条不经过负载即可达到电源的通路。 这样，即可达到减小流过负载的暗电流、减小噪声的目的。 如果使用时环极悬空，除了暗电流、噪声大些外，其它性能均不受影响。 2CU管子，因为是以N-Si为衬底，虽然受光面的SiO2反射膜中也含有少量的正离子，而它的静电感应不会使N-Si表面产生一个和P-Si导电类型相同的导电层，从而也就不可能出现表面漏电流，所以不需要加环极。 第41页/共58页 光电二极管的电路 光电二极管的用法只能有两种。 一种是不加外电压，直接与负载相接。 另一种是加反向电压，如图所示。 a)