电路基础与集成电子技术硅稳压二极管及其稳压电路.pptVIP

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2018-05-30 发布于上海
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电路基础与集成电子技术硅稳压二极管及其稳压电路.ppt

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电路基础与集成电子技术硅稳压二极管及其稳压电路

* * * 关于稳压二极管稳压电路将在直流稳压电路中详细讨论。 * * * * * 第4章半导体二极管和晶体管 2010.02 利用硅二极管反向击穿十分陡直，可以制作稳压二极管，从稳压二极管的伏安特性曲线可确定它的一些参数。 (1) 稳定电压VZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 4.4.1 稳压二极管的主要参数图4.4.1 稳压二极管的伏安特性曲线第1页/共14页第4章半导体二极管和晶体管 2010.02 (2) 动态电阻rZ —— 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性曲线上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?UZ /?IZ 第2页/共14页第4章半导体二极管和晶体管 2010.02 (3) 最大耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZM= UZ IZMAX 第3页/共14页第4章半导体二极管和晶体管 2010.02 (4) 最大稳定工作电流 IZMAX 和最小稳定工作电流IZMIN ————— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即 IZMAX = PZM/UZ 而IZMIN对应UZMIN，即反向特性曲线刚刚击穿处对应的IZ 。若IZ＜IZMIN则不能稳压。第4页/共14页第4章半导体二极管和晶体管 2010.02 (5) 稳定电压UZ的温度系数——?UZ 温度的变化将使UZ改变，在稳压管中当?UZ? ＞7 V时，UZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。当?UZ?＜4 V时， UZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。当4 V＜?UZ? ＜7 V时，正、负温度系数在某一点上互相抵消，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用，提供十分稳定的直流电压。第5页/共14页第4章半导体二极管和晶体管 2010.02 图 4.4.2 带温度补偿的硅稳压二极管也可以利用稳压二极管的雪崩击穿， UZ具有正温度系数；稳压二极管的正向压降UD具有负温度系数，一正一反串联起来稳压二极管可以获得接近零的温度系数。第6页/共14页第4章半导体二极管和晶体管 2010.02 稳压二极管稳压电路中，稳压二极管与负载并联，在输入电压UI与负载RL之间串联一个起调节作用的稳压电阻R ，该电阻同时起限流保护稳压二极管的作用。图 4.4.3 稳压二极管稳压电路　 4.4.2 稳压二极管稳压电路由图可知 IR= IZ+ IO 第7页/共14页第4章半导体二极管和晶体管 201