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毕业论文-Bi1-xRMxFeO3-NiFe2O4（RM=Sm，Gd，Sr）薄膜制备及性能研究1
毕 业 设 计
题目：Bi1-xRMxFeO3-NiFe2O4（RM=Sm，Gd，Sr）薄膜的制备及性能研究材料科学与工程学院 Bi1-xRMxFeO3-NiFe2O4（RM=Sm，Gd，Sr）薄膜的制备及性能研究BiFeO3是少数的单相多铁材料之一，具有扭曲的钙钛矿结构属于R3c点群，由立方结构沿(111)方向拉伸而形成的一种偏离理想钙钛矿结构的斜六方结构，在室温下同时具有铁电有序和反铁磁有序，由于具有较高的铁电相变温度Tc=1103K）和磁相变温度TN=643K），在磁电传感器，自旋电子器件，存储器等方面有广泛的应用前景而得到关注。
本实验采用溶胶凝胶法，以乙二醇甲醚和冰醋酸为溶剂，Fe、Bi、Sm、Gd、Sr的硝酸盐为原料，通过旋转涂布法和层层退火工艺在FTO玻璃基板上制备A位多种元素共掺Bi1-xRMxFeO3-NiFe2O4RM=Sm，Gd，Sr复合薄膜。研究了Sm、Gd共掺，Sm、Gd、Sr共掺对BiFeO3薄膜的结构和性能的影响。此外，还对比研究了11%Sm时，4%含量的稀土元素Gd和碱土金属元素Sr对Bi0.85RM0.04FeO3-NiFe2O4（RM=Gd/Sr）复合薄膜的结构，漏电流，介电和铁电性能的影响。结论如下：（1）不同Gd）掺杂量Bi0.89-xSm0.11GdxFeO3-NiFe2O4复合薄膜，其晶体结构呈扭曲菱形，且结晶程度高Bi0.89-xSm0.11GdxFeO3-NiFe2O4复合（2）不同）掺杂量Bi0.85-xSm0.11Gd0.04SrxFeO3-NiFe2O4复合薄膜菱形，且结晶程度高Bi0.85-xSm0.11Gd0.04SrxFeO3-NiFe2O4复合掺杂量Bi0.85-xSm0.11Gd0.04SrxFeO3-NiFe2O4复合（3）在Bi0.85Sm0.11Gd0.04FeO3-NiFe2O4Bi0.85Sm0.11Sr0.04FeO3-NiFe2O4复合薄膜，Bi0.85Sm0.11Sr0.04FeO3-NiFe2O4复合薄膜Bi0.85Sm0.11Sr0.04FeO3-NiFe2O4复合薄膜BiFeO3，薄膜，结构，介电性，铁电性
Preparation and Electrical Properties of Bi1-xRMxFeO3-NiFe2O4 (RM=Sm, Gd, Sr) Composite Thin Film
Abstract
BiFeO3 is one of the few single-phase multiferroic materials, with distorted perovskite structure (R3c) and eight structural phases transition. The ideal cubic structure of the perovskite structure was stretched along (111) direction and the structure transformed into oblique hexagonal structure. The ferroelectric order and anti-ferromagnetic order both existed at room temperature. Due to the higher magnetic phase transition temperature (TC=1103 K) and the ferroelectric phase transition temperature (TN=643 K), BiFeO3 has the wide application, such as in magnetoelectric sensors, self-spinning electronic devices and random accessmemory. It has attracted the increasing attention.
In this study, Fe, Bi, Sm, Gd and Sr nitrate served as raw materials, thylene glycol monomethyl ether and acetic acid served as solvent, Bi1-xRMxFeO3-NiFe2O4 (RM = Sm, Gd, Sr) composite thin films were prepared on the FTO/glass substrates (FTO is the F-doped SnO2 conductive film) by using a sol
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